Quantitative non-destructive nanoscale characterisation of advanced materials

先进材料的定量无损纳米级表征

基本信息

批准号：
EP/P013562/1
负责人：
Martin Kuball
金额：
$ 18.03万
依托单位：
University of Bristol
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2017
资助国家：
英国
起止时间：
2017 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FP013562%2F1
关键词：
Quantitative non destructive nanoscale characterisation

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography

扫描热显微镜可实现精确的纳米级器件热成像

DOI：
http://dx.10.1016/j.nantod.2021.101206
发表时间：
2021
期刊：
Nano Today
影响因子：
17.4
作者：
Gucmann F
通讯作者：
Gucmann F

Thermal Transport in Superlattice Castellated Field Effect Transistors

超晶格城堡型场效应晶体管中的热传输

DOI：
http://dx.10.1109/led.2019.2929424
发表时间：
2019
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Middleton C
通讯作者：
Middleton C

Reliability and lifetime estimations of GaN-on-GaN vertical pn diodes

GaN-on-GaN 垂直 pn 二极管的可靠性和寿命估计

DOI：
http://dx.10.1016/j.microrel.2019.02.013
发表时间：
2019
期刊：
Microelectronics Reliability
影响因子：
1.6
作者：
Rackauskas B
通讯作者：
Rackauskas B

Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted ß -Ga2O3

掩埋氮注入 -Ga2O3 中陷阱态的表征

DOI：
http://dx.10.1063/5.0031480
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Mishra A
通讯作者：
Mishra A

Unusual Deformation and Fracture in Gallium Telluride Multilayers.

碲化镓多层膜中的异常变形和断裂。

DOI：
http://dx.10.1021/acs.jpclett.2c00411
发表时间：
2022
期刊：
The journal of physical chemistry letters
影响因子：
0
作者：
Zhou Y
通讯作者：
Zhou Y

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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Martin Kuball其他文献

Elimination of Degenerate Epitaxy in the Growth of High Quality B 12 As 2 Single Crystalline Epitaxial Films

高质量B 12 As 2 单晶外延薄膜生长过程中简并外延的消除

DOI：
10.1557/opl.2011.316
发表时间：
2011
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
0
作者：
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu
通讯作者：
Yimei Zhu

Growth Mechanisms and Defect Structures of B12As2 Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates

4H-SiC 衬底上生长的 B12As2 外延层的生长机制和缺陷结构

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.065
发表时间：
2011-05-01
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu
通讯作者：
Yimei Zhu

Non-Arrhenius Degradation of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Bulk GaN Substrates

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DOI：
发表时间：
2012
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
M. Ťapajna;N. Killat;J. Moereke;T. Paskova;K. Evans;J. Leach;X. Li;U. Ozgur;H. Morkoç;K. Chabak;A. Crespo;J. Gillespie;R. Fitch;M. Kossler;D. Walker;M. Trejo;G. Via;J. Blevins;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball