In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor

金属电极与半导体界面肖特基势垒原位观测技术

基本信息

批准号：
17K06782
负责人：
KATO Takeharu
金额：
$ 3万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

TVノルム最小化を用いた密度定量トモグラフィにおけるノイズ問題解決法

采用TV范数最小化的密度定量断层扫描噪声问题解决方法

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
照屋海登;山﨑順;加藤丈晴;藤田直弘;馬場則男
通讯作者：
馬場則男

Mass Transfer in Yb Silicates under Oxygen Potential Gradients at High Temperatures

高温氧势梯度下镱硅酸盐中的传质

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kitaoka; T. Matsudaira; M. Wada; T. Yokoi; N. Yamaguchi; N. Kawashima; T. Ogawa; D. Yokoe; T. Kato
通讯作者：
T. Kato

有機修飾型リン酸八カルシウムの水熱処理によるヒドロキシアパタイトの合成

有机改性磷酸八钙水热处理合成羟基磷灰石

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
横井太史;後藤知代;加藤丈晴;高橋誠治
通讯作者：
高橋誠治

Nanodomain Structures in a Strained BaTiO3 Film Detected Using Picoscale Cation Displacement Measurements

使用皮级阳离子位移测量检测应变 BaTiO3 薄膜中的纳米域结构

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kobayashi; K. Inoue; T. Kato; Y. Ikuhara; T. Yamamoto
通讯作者：
T. Yamamoto

Multiphase nanodomains in a strained BaTiO3 film on a GdScO3 substrate

GdScO3 基底上应变 BaTiO3 薄膜中的多相纳米域

DOI：
10.1063/1.5012545
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Kobayashi Shunsuke;Inoue Kazutoshi;Kato Takeharu;Ikuhara Yuichi;Yamamoto Takahisa
通讯作者：
Yamamoto Takahisa

DOI：
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In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices

金属和半导体之间界面周围电势分布的原位分析，用于功率器件的开发

批准号：
26420671
财政年份：
2014
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface

直接观察金属/半导体界面附近半导体缺陷结构周围的电势分布

批准号：
23560795
财政年份：
2011
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN

开发直接观察金属电极/GaN界面周围电位分布的技术，开发GaN用金属电极

批准号：
18686051
财政年份：
2006
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

相似海外基金

金属・半導体界面による電気伝導率に独立した熱伝導率制御

热导率控制与金属-半导体界面的电导率无关

批准号：
22KJ1020
财政年份：
2023
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

二次元層状物質を用いた金属/Si，Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明

使用二维层状材料阐明金属/Si、Ge界面的能带排列决定机制

批准号：
22K04212
财政年份：
2022
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

ハロゲンドープによるペリレンカチオン形成過程におけるエネルギー準位シフト

由于卤素掺杂导致苝阳离子形成过程中的能级变化

批准号：
21K04875
财政年份：
2021
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Excited-State Interaction at the Interface of Semiconductor and Adsorbed Metal Complex

半导体与吸附金属络合物界面处的激发态相互作用

批准号：
21K18932
财政年份：
2021
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御

了解和控制金属（Hf/Zr）/Si半导体表面界面局部结构中硅化物的氧化反应

批准号：
21K04882
财政年份：
2021
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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