In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices

金属和半导体之间界面周围电势分布的原位分析，用于功率器件的开发

基本信息

批准号：
26420671
负责人：
KATO Takeharu
金额：
$ 3.24万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Strategy for Electrodeposition of Highly Ductile Bulk Nanocrystalline Metals with a Face-Centered Cubic Structure

具有面心立方结构的高延展性块状纳米晶金属的电沉积策略

DOI：
10.2320/matertrans.m2014268
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
1.2
作者：
I. Matsui; Y. Takigawa; D. Yokoe; T. Kato; T. Uesugi;K. Higashi
通讯作者：
K. Higashi

Structural Stability Design under Oxgen Potential Gradients at High Temperatures

高温氧势梯度下的结构稳定性设计

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kitaoka; T. Matudaira; T. Yokoi; D. Yokoe; T. Kato;M. Takata
通讯作者：
M. Takata

Structural Stability Design under Oxgen Potential Gradients at High Temperatures

高温氧势梯度下的结构稳定性设计

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kitaoka; T. Matudaira; T. Yokoi; D. Yokoe; T. Kato;M. Takata
通讯作者：
M. Takata

ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素単結晶の接合界面の創成と評価

金刚石与立方氮化硼单晶键合界面的创建与评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
谷口尚;陳春林;加藤丈晴;柴田直哉;幾原雄一
通讯作者：
幾原雄一

BaTiO3薄膜の陽イオン微小変位計測によるナノドメイン構造解析

利用 BaTiO3 薄膜的阳离子微小位移测量进行纳米域结构分析

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
小林俊介;加藤丈晴;幾原雄一;山本剛久
通讯作者：
山本剛久

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

KATO Takeharu其他文献

KATO Takeharu的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

{{ truncateString('KATO Takeharu', 18)}}的其他基金

In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor

金属电极与半导体界面肖特基势垒原位观测技术

批准号：
17K06782
财政年份：
2017
资助金额：
$ 3.24万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface

直接观察金属/半导体界面附近半导体缺陷结构周围的电势分布

批准号：
23560795
财政年份：
2011
资助金额：
$ 3.24万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN

开发直接观察金属电极/GaN界面周围电位分布的技术，开发GaN用金属电极

批准号：
18686051
财政年份：
2006
资助金额：
$ 3.24万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

相似海外基金

Contact resistance lowering at metal/Ge interface by controlling metal property and interface structure

通过控制金属性质和界面结构降低金属/Ge界面的接触电阻

批准号：
17K06374
财政年份：
2017
资助金额：
$ 3.24万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

verification of the superconducting symmetry of two-dimensional superconductor under strong electric field

强电场下二维超导体超导对称性验证

批准号：
17K05551
财政年份：
2017
资助金额：
$ 3.24万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)