Strage of hydrogen generated by solar cells
太阳能电池产生的氢气的储存
基本信息
- 批准号:17K06322
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Ohshita Yoshio其他文献
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
(311)A/B GaAs 衬底上生长的 n 型 GaAsN 的 Cu 肖特基接触的电特性
- DOI:
10.1016/j.jallcom.2015.10.097 - 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:6.2
- 作者:
Dong Chen;Han Xiuxun;Gao Xin;Ohshita Yoshio;Yamaguchi Masafumi - 通讯作者:
Yamaguchi Masafumi
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes
生长方向和N掺入对Cu/GaAsN肖特基势垒二极管界面态和电学特性的影响
- DOI:
10.1016/j.physb.2017.09.125 - 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Dong Chen;Han Xiuxun;Li Jian;Gao Xin;Ohshita Yoshio - 通讯作者:
Ohshita Yoshio
Effects of SiNx refractive index and SiO2 thickness on polarization‐type potential‐induced degradation in front‐emitter n‐type crystalline‐silicon photovoltaic cell modules
SiNx折射率和SiO2厚度对前发射极n型晶体硅光伏电池组件极化型电势诱导衰减的影响
- DOI:
10.1002/ese3.1135 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:3.8
- 作者:
Yamaguchi Seira;Nakamura Kyotaro;Semba Taeko;Ohdaira Keisuke;Marumoto Kazuhiro;Ohshita Yoshio;Masuda Atsushi - 通讯作者:
Masuda Atsushi
Effects of SiNx refractive index and SiO2 thickness on polarization‐type potential‐induced degradation in front‐emitter n‐type crystalline‐silicon photovoltaic cell modules
SiNx折射率和SiO2厚度对前发射极n型晶体硅光伏电池组件极化型电势诱导衰减的影响
- DOI:
10.1002/ese3.1135 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:3.8
- 作者:
Yamaguchi Seira;Nakamura Kyotaro;Semba Taeko;Ohdaira Keisuke;Marumoto Kazuhiro;Ohshita Yoshio;Masuda Atsushi - 通讯作者:
Masuda Atsushi
Ohshita Yoshio的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ohshita Yoshio', 18)}}的其他基金
Energy strage system with recycled hydrogen carriers
具有回收氢载体的能量存储系统
- 批准号:
26420258 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
水合物储存氢气的应用基础研究
- 批准号:50806050
- 批准年份:2008
- 资助金额:20.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
光触媒と水素吸蔵材料のハイブリッド化:光駆動水素貯蔵システムの構築
光催化剂与储氢材料的杂化:光驱动储氢系统的构建
- 批准号:
22K04731 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属-配位子協働効果を利用した「水素貯蔵」機能の発現と触媒反応への応用
利用金属-配体协同效应表达“储氢”功能及其在催化反应中的应用
- 批准号:
22K05122 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of CO2 conversion reaction using electrons from H2
利用 H2 电子开发 CO2 转化反应
- 批准号:
22K05130 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属-配位子協働効果を利用した「水素貯蔵」機能の発現と触媒反応への応用
利用金属-配体协同效应表达“储氢”功能及其在催化反应中的应用
- 批准号:
22K05122 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of CO2 conversion reaction using electrons from H2
利用 H2 电子开发 CO2 转化反应
- 批准号:
22K05130 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)