Energy strage system with recycled hydrogen carriers
具有回收氢载体的能量存储系统
基本信息
- 批准号：26420258
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Ohshita Yoshio其他文献
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
(311)A/B GaAs 衬底上生长的 n 型 GaAsN 的 Cu 肖特基接触的电特性
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Effects of SiNx refractive index and SiO2 thickness on polarization‐type potential‐induced degradation in front‐emitter n‐type crystalline‐silicon photovoltaic cell modules
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- 作者：
Yamaguchi Seira;Nakamura Kyotaro;Semba Taeko;Ohdaira Keisuke;Marumoto Kazuhiro;Ohshita Yoshio;Masuda Atsushi - 通讯作者：
Masuda Atsushi
Effects of SiNx refractive index and SiO2 thickness on polarization‐type potential‐induced degradation in front‐emitter n‐type crystalline‐silicon photovoltaic cell modules
SiNx折射率和SiO2厚度对前发射极n型晶体硅光伏电池组件极化型电势诱导衰减的影响
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10.1002/ese3.1135 - 发表时间：
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Yamaguchi Seira;Nakamura Kyotaro;Semba Taeko;Ohdaira Keisuke;Marumoto Kazuhiro;Ohshita Yoshio;Masuda Atsushi - 通讯作者：
Masuda Atsushi
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ohshita Yoshio', 18)}}的其他基金
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- 批准号：
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太阳能电池产生的氢气的储存
- 批准号：
17K06322 - 财政年份：2017
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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机械和电化学空化高效制氢/储存技术的发展
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)