Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application

IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究

基本信息

  • 批准号：
    16H06080
  • 负责人：
    Tomioka Katsuhiro
  • 金额：
    $ 15.97万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform
（特邀）Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
  • DOI：
    10.1149/08001.0043ecst
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Katsuhiro Tomioka;Takashi Fukui
  • 通讯作者：
    Takashi Fukui
Growth and characterization of wurtzite InP/AlGaP core-multishell nanowires with AlGaP quantum well structures
具有AlGaP量子阱结构的纤锌矿InP/AlGaP核-多壳纳米线的生长和表征
  • DOI：
    10.7567/jjap.56.010311
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    F. Ishizaka; Y. Hiraya; K. Tomioka; J. Motohisa;T. Fukui
  • 通讯作者：
    T. Fukui
Size Control of InP NWs by in situ Thermal Annealing in MOVPE
MOVPE 中原位热退火控制 InP 纳米线的尺寸
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Sasaki; K. Chiba; A. Yoshida; K. Tomioka; J. Motohisa
  • 通讯作者：
    J. Motohisa
Study on emission mechanism in InP-based nanowire LEDs
InP基纳米线LED发光机理研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. Motohisa; H. Kameda; M. Sasaki; K. Tomioka
  • 通讯作者：
    K. Tomioka
有機金属気相選択成長により作製したInPナノワイヤのサイズ制御
有机金属气相选择性生长InP纳米线的尺寸控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    佐々木 正尋;千葉 康平;冨岡 克広;本久 順一
  • 通讯作者：
    本久 順一
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro
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    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro
Integration of Indium Arsenide/Indium Phosphide Core-Shell Nanowire Vertical Gate-All-Around Field-Effect Transistors on Si
砷化铟/磷化铟核壳纳米线垂直栅极全场效应晶体管在硅上的集成
  • DOI：
    10.1109/led.2020.3004157
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro

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    2024
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  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 15.97万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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