Formation of Fe-based Hybrid-Nanodots and Their Magnetoelectronic Transport Properties

铁基杂化纳米点的形成及其磁电子传输特性

基本信息

  • 批准号:
    16H06083
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.89万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots
Fe3Si 纳米点的高密度形成和磁电子传输特性
  • DOI:
    10.1149/08607.0131ecst
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hai Zhang; Katsunori Makihara; Mitsuhisa Ikeda; Akio Ohta;Seiichi Miyazaki
  • 通讯作者:
    Seiichi Miyazaki
Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures
高密度 FePt-ND 堆叠结构的电子传输性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Kawase; Y. Mitsuyuki; K. Makihara; A. Ohta; M. Ikeda;S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    S. Miyazaki
名古屋大学工学研究科 電子工学専攻 宮崎研究室
名古屋大学工学研究科电子工学科宫崎实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
バンドン工科大学(インドネシア)
万隆理工学院(印度尼西亚)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors
Ti纳米点嵌入SiO<sub>x</sub>及其对电阻开关行为的影响
  • DOI:
    10.1587/transele.e100.c.468
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.5
  • 作者:
    Y. Kato; A. Ohta; M. Ikeda; K. Makihara;S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    S. Miyazaki
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Makihara Katsunori其他文献

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface
Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ab69de
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
  • 通讯作者:
    Miyazaki Seiichi
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal
通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
  • 通讯作者:
    Miyazaki Seiichi
Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface
Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ab69de
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
  • 通讯作者:
    Miyazaki Seiichi
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal
通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abdad0
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
  • 通讯作者:
    Miyazaki Seiichi
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal
通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abdad0
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
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    $ 15.89万
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    2023
  • 资助金额:
    $ 15.89万
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    22K21362
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 15.89万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Home-Returning Researcher Development Research)
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