Control of carrier transport properties of one-dimensionally aligned-hybrid nanodots and their application to light emitting devices

一维排列混合纳米点载流子传输特性的控制及其在发光器件中的应用

基本信息

批准号：
25709023
负责人：
Makihara Katsunori
金额：
$ 15.89万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25709023/
关键词：
Si量子ドット磁性ドット量子ドット

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（51）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響

外磁场对高密度FePt纳米点叠层结构电子输运性能的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
河瀨平雅;満行優介;大田晃生;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成

利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
張海;牧原克典;大田晃生;池田弥央;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma

远程氢等离子体诱导高密度形成锰和锰锗化物纳米点

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Wen; K. Makihara; A. Ohta; M. Ikeda;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots

自对准硅基量子点电致发光的瞬态特性

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Suzuki; K. Makihara; M. Ikeda;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

バンドン工科大学(インドネシア)

万隆理工学院（印度尼西亚）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Makihara Katsunori其他文献

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析

DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

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DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
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期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
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DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
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DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
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期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi