Fabrication and Characterization of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dot for Light Emission

高密度类超原子Ge核/Si壳发光量子点的制备与表征

基本信息

批准号：
19H00762
负责人：
Makihara Katsunori
金额：
$ 28.79万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（152）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

IHP(ドイツ)

国际水文计划（德国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Inner Mongolia University of Technology(中国)

内蒙古工业大学（中国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots

基底温度对等离子体增强自组装形成高密度 FePt 纳米点的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/ac2036
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Honda; K. Makihara; N. Taoka; H. Furuhata; A. Ohta; D. Oshima; T. Kato;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode

具有石墨烯顶电极的多层堆叠硅量子点结构的电子场发射

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Niibayashi; T. Takemoto; K. Makihara; A. Ohta; M. Ikeda; S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

Fe ナノドットへの SiH4照射によるβ-FeSi2ナノドットの高密度形成

SiH4 辐照 Fe 纳米点高密度形成 β-FeSi2 纳米点

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
斎藤陽斗;牧原克典;王子ロ（おうへんに路）;田岡紀之;大田晃生;宮﨑誠一
通讯作者：
宮﨑誠一

DOI：
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作者：
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Makihara Katsunori其他文献

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析

DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析

DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Layer transfer of ultrathin Ge crystal segregated on Al/Ge(111) structure

Al/Ge(111)结构上偏析的超薄Ge晶体的层转移

DOI：
10.35848/1347-4065/acb65c
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Matsushita Keigo;Ohta Akio;Shibayama Shigehisa;Tokunaga Tomoharu;Taoka Noriyuki;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing

蓝宝石(0001)上Ge薄膜的热退火结晶

DOI：
10.1149/09805.0505ecst
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sugawa Hibiki;Ohta Akio;Kobayashi Masato;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi