Study of multi-band solar cells using dilute nitride semiconductors

使用稀氮化物半导体的多波段太阳能电池的研究

基本信息

批准号：
16H05895
负责人：
Yagi Shuhei
金额：
$ 15.64万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H05895/
关键词：
中間バンド型太陽電池希釈窒化物混晶半導体希釈窒化物半導体分子線エピタキシー太陽電池 Ⅲ-Ⅴ族化合物再生可能エネルギーナノ材料超格子半導体物性結晶成長高効率太陽電池半導体超格子高効率太陽光発電材料・素子光物性

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価

n型GaAs:N δ掺杂超晶格的电学表征

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
加藤諒; 八木修平; 岡田至崇; 矢口裕之
通讯作者：
矢口裕之

Optical Characterization of Nonradiative Centers in GaAs:N δ-Doped Superlattices by Using Below-Gap Excitation Light

使用带隙下激发光对 GaAs:N δ 掺杂超晶格中非辐射中心进行光学表征

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
M.D. Haque; N. Kamata; A.Z.M.T. Islam; Md. Julkarnain; S. Yagi; H. Yaguchi;Y. Okada
通讯作者：
Y. Okada

Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices

n 型 GaAs:N δ 掺杂超晶格的电学表征

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryo Kato; Shuhei Yagi; Yoshitaka Okada;Hiroyuki Yaguchi
通讯作者：
Hiroyuki Yaguchi

Effect of Carrier Blocking Layer on Carrier Collection in Intermediate-Band Solar Cells using GaAs:N Delta-Doped Superlattice

载流子阻挡层对 GaAs:N Delta 掺杂超晶格中带太阳能电池载流子收集的影响

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Suzuki; S. Yagi; Y. Okada; H. Yaguchi
通讯作者：
H. Yaguchi

Optical Detection of Nonradiative Recombination Levels via Intermediate Band in GaAs:N δ-Doped Superlattices

通过 GaAs:N δ 掺杂超晶格中的中间带进行非辐射复合能级的光学检测

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
N. Kamata; K. Nagata; Md. D. Haque; Z. Honda; S. Yagi; H. Yaguchi;Y. Okada
通讯作者：
Y. Okada

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Yagi Shuhei其他文献

Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N δ-doped superlattice structure

MOVPE 生长的 GaAs:N δ 掺杂超晶格结构中非辐射复合中心的光致发光表征

DOI：
10.1016/j.optmat.2019.01.047
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
3.9
作者：
Haque Md Dulal;Kamata Norihiko;Islam A.Z.M. Touhidul;Honda Zentaro;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki
通讯作者：
Yaguchi Hiroyuki

Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation

激光照射下GaP1-xNx合金的光致发光强度变化

DOI：
10.1063/5.0020793
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Sultan Md. Zamil;Shiroma Akinori;Yagi Shuhei;Takamiya Kengo;Yaguchi Hiroyuki
通讯作者：
Yaguchi Hiroyuki

Nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence

双波长激发光致发光揭示GaAs:N δ掺杂超晶格中的非辐射复合中心

DOI：
10.1063/1.5011311
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Dulal Haque Md.;Kamata Norihiko;Fukuda Takeshi;Honda Zentaro;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Okada Yoshitaka
通讯作者：
Okada Yoshitaka

Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

N 极 (000-1) InGaN/GaN 多量子阱中单量子限制结构的双激子发射

DOI：
10.1002/pssb.201700454
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji