Low Resistance Metal/Germanium Contacts by Alleviation of Fermi Level Pinning Phenomenon
通过减轻费米能级钉扎现象实现低电阻金属/锗接触
基本信息
- 批准号：15H03565
- 负责人：
- 金额：$ 10.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties
外延Hf二锗/Ge(001)接触的形成及其晶体特性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：O. Nakatsuka; A. Suzuki; J. McVittie; Y. Nishi;S. Zaima
- 通讯作者：S. Zaima
Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height
用于降低肖特基势垒高度的外延 HfGe2/Ge 接触的晶体和电学特性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Nakatsuka; A. Suzuki; J. McVittie; Y. Nishi;S. Zaima O. Nakatsuka; A. Suzuki; J. McVittie; Y. Nishi;S. Zaima
- 通讯作者：S. Zaima
Microwave Annealing for Low-Thermal Budget Process of Nickel Monogermanide/Germanium Contact Formation
微波退火用于镍单锗化物/锗接触形成的低热预算过程
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Nakatsuka; Y. Watanabe”; A. Suzuki; Y. Nishi;S. Zaima
- 通讯作者：S. Zaima
Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials
GeSn相关IV族半导体材料的生长及应用
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Zaima; O. Nakatsuka; T. Asano; T. Yamaha; S. Ike; A. Suzuki; K. Takahashi; Y. Nagae; M. Kurosawa; W. Takeuchi; Y. Shimura;M. Sakashita
- 通讯作者：M. Sakashita
Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer
通过插入 Ge1-xSnx 层控制金属/Ge 界面处的肖特基势垒高度
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Suzuki; O. Nakatsuka; S. Shibayama; M. Sakashita; W. Takeuchi; M. Kurosawa;S. Zaima
- 通讯作者：S. Zaima
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Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics
用于Ge电子器件的低电阻超平坦金属/Ge接触形成技术
- 批准号：
18686005 - 财政年份：2006
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$ 10.9万 - 项目类别：
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