Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics

用于Ge电子器件的低电阻超平坦金属/Ge接触形成技术

• 批准号: 18686005
• 负责人: NAKATSUKA Osamu
• 金额: $ 19.47万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686005/
• 关键词: ゲルマニウム; コンタクト; 界面; ジャーマナイド; ULSI; プロセス技術; 結晶工学; ニッケル; 電子・電気材料

次世代超々大規模集積回路の高性能化、低消費電力化に期待される高移動度ゲルマニウム(Ge)チャネルデバイス実現のために、金属電極/Ge界面の低抵抗化、熱的安定性向上を目指して金属/Ge界面の結晶構造および電気伝導特性制御に関する研究を行った。ニッケルジャーマナイド(NiGe)への白金(Pt)添加を施し形成した(Ni1-xPtx)Ge層によって、従来のNiGeよりも熱的安定性に優れたジャーマナイド/Geコンタクト形成に成功した。また、金属/Ge界面制御を施した金属/GeコンタクトのSchottky障壁高さ評価から、フェルミレベルピニングを解消し、低Schottky障壁高さを実現するための知見を得た。

为了实现有望提高下一代超大规模集成电路性能并降低功耗的高迁移率锗（Ge）沟道器件，我们将降低金属电极/Ge界面的电阻，为此，我们开展了控制金属/Ge界面的晶体结构和导电性能的研究。通过将铂（Pt）添加到锗化镍（NiGe）中并形成（Ni1-xPtx）Ge层，我们成功地形成了比传统NiGe具有更好热稳定性的锗化物/Ge接触。此外，通过评估金属/Ge界面控制的金属/Ge接触的肖特基势垒高度，我们获得了消除费米能级钉扎和实现低肖特基势垒高度的知识。

项目成果

金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御(招待講演)

金属硅化物/锗化物/半导体接触的界面结构与电子性能控制（特邀报告）

• 发表时间: 2008
• 作者: 中塚理; 酒井朗; 財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上

添加Pt提高Ge(001)衬底上NiGe薄膜的热稳定性

• 发表时间: 2007
• 作者: 鈴木敦之; 中塚理; 酒井朗; 小川正毅; 財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts

界面结构对金属/Ge肖特基接触电性能的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: O. Nakatsuka; S. Akimoto; T. Nishimura;S. Zaima
• 通讯作者: S. Zaima

Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates

Pt 掺入对 Ge (001) 基底上 NiGe 层热稳定性的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: O. Nakatsuka; A. Suzuki; A. Sakai; M. Ogawa;S. Zaima
• 通讯作者: S. Zaima

ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

锗化物薄膜、锗化物薄膜的制造方法、具有锗化物薄膜的锗结构

• 发表时间: 2007