Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells

GaAs/Si单片太阳能电池新型III-VI族缓冲层的研究

基本信息

批准号：
15K05998
负责人：
KOJIMA NOBUAKI
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer

通过 In2Se3 缓冲层中范德华界面的新型外延 GaAs 剥离方法

DOI：
10.4229/eupvsec20172017-4cv.4.28
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima;Li Wang;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
通讯作者：
Masafumi Yamaguchi

Optical properties of layered (InxGa1-x)2Se3 buffer material deposited on GaAs(111) substrate for III-V/Silicon solar cell

用于 III-V/硅太阳能电池的 GaAs(111) 衬底上沉积的层状 (InxGa1-x)2Se3 缓冲材料的光学特性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Li Wang; Hiroya Nakamura; Nobuaki Kojima; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
通讯作者：
Masafumi Yamaguchi

SINGLE DOMAIN GROWTH OF LAYERED In2Se3 ON Si(111) AS AN INTERMEDIATE BUFFER LAYER IN GaAs ON Si

Si(111) 上层状 In2Se3 作为 Si 上 GaAs 中间缓冲层的单域生长

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima;Li Wang;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
通讯作者：
Masafumi Yamaguchi

Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer

通过 In2Se3 缓冲层中范德华界面的新型外延 GaAs 剥离方法

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima;Li Wang;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
通讯作者：
Masafumi Yamaguchi

Suppression of Twin Formation in Layered In2Se3 Grown on GaAs(111)

GaAs(111) 上生长的层状 In2Se3 孪晶形成的抑制

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima; Hiroya Nakamura; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
通讯作者：
Masafumi Yamaguchi

DOI：
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作者：
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批准号：
18K04963
财政年份：
2018
资助金额：
$ 2.83万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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