GaAs epitaxial growth and lift-off from Si using a novel layered compound buffer

使用新型层状化合物缓冲剂进行 GaAs 外延生长和 Si 剥离

基本信息

批准号：
18K04963
负责人：
KOJIMA NOBUAKI
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

XRD Pole Figure Analysis of In2Se3 Zinc-Blende Like (ZBL) Van der Waals Template for Epitaxial GaAs Lift Off

用于外延 GaAs 剥离的 In2Se3 类闪锌矿 (ZBL) 范德华模板的 XRD 极图分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima; Yu
通讯作者：
Yu

Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer

通过 2D-GaSe 缓冲层从 Si(111) 晶圆上剥离 GaAs 外延

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima; Yu
通讯作者：
Yu

XRD Pole Figure Analysis of In2Se3Zinc-Blende Like (ZBL) Van der Waals Template for Epitaxial GaAs Lift Off

用于外延 GaAs 剥离的 In2Se3Zinc-Blende Like (ZBL) 范德华模板的 XRD 极图分析

DOI：
10.1109/pvsc.2018.8547396
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima; Yu
通讯作者：
Yu

Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer

通过 2D-GaSe 缓冲层从 Si(111) 晶圆上剥离 GaAs 外延

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nobuaki Kojima; Yu
通讯作者：
Yu

2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離

使用 2D-In2Se3 在 Si(111) 上薄层剥离 GaAs 外延层

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
小島信晃;Wang Yu;川勝桂;山本暠勇;大下祥雄;山口真史
通讯作者：
山口真史

DOI：
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作者：
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资助金额：
$ 2.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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