Fabrication of semipolar {20-2-1} plane GaN substrate grown from the sidewall of patterned sapphire substrate

从图案化蓝宝石衬底侧壁生长的半极性{20-2-1}面GaN衬底的制造

基本信息

批准号：
25289088
负责人：
Tadatomo Kazuyuki
金额：
$ 11.07万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289088/
关键词：
GaN 半極性面 MOVPE HVPE 転位サファイア基板積層欠陥 GaN基板研磨

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

HVPEによるGaN非極性基板作製

HVPE 制造 GaN 非极性衬底

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
只友一行;岡田成仁;山根啓輔
通讯作者：
山根啓輔

窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法

一种氮化镓晶体自支撑衬底的制作方法

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

HVPEの成長条件が厚膜{20-21}GaNの結晶性に与える影響

HVPE生长条件对厚{20-21}GaN结晶度的影响

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
橋本健宏;山根啓輔;岡田成仁;只友一行
通讯作者：
只友一行

Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application

通过 HVPE 和 LED 应用制造独立式 {20-21} GaN 衬底

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Yamane;Y. Hashimoto;N. Okada;K. Tadatomo
通讯作者：
K. Tadatomo

山口大学　只友研究室

山口大学忠友实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
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0
作者：
通讯作者：

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作者：
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Tadatomo Kazuyuki其他文献

Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN

位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度和划痕宽度的线性相关性

DOI：
10.1088/1361-6463/ac96fd
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Takeda Hidetoshi;Aida Hideo;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy

通过共焦微分干涉显微镜观察外延就绪 GaN 晶圆表面精细结构的识别

DOI：
10.35848/1347-4065/abbb23
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth

晶圆制造过程中形成的 GaN 划痕和同质外延生长过程中的位错反应产生位错

DOI：
10.35848/1347-4065/ac2ae5
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Surface plasmon enhanced emissions from semipolar InGaN/GaN quantum wells

半极性 InGaN/GaN 量子阱的表面等离子体增强发射

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jun Kametani;Toshiki Nakamura;Fumiya Murao;Tetsuya Matsuyama;Kenji Wada;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Koichi Okamoto
通讯作者：
Koichi Okamoto

Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction

X射线衍射测量宽带隙半导体晶片晶面各向异性曲率半径

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3a20
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Yokoe Daisaku;Hirano Keiichi;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
通讯作者：
Ishikawa Yukari