Examination of anisotropic stress state evaluation in III-V compound semiconductors by oil-immersion Raman spectroscopy
通过油浸拉曼光谱评估 III-V 族化合物半导体各向异性应力状态的检验
基本信息
- 批准号：25790049
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical field analysis of metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate
使用双轴应变硅基板进行金属表面等离子体共振的电场分析
- DOI：10.1002/jrs.4478
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Daisuke Kosemura;Siti Norhidayah binti CheMohd Yusoff;Atsushi Ogura
- 通讯作者：Atsushi Ogura
Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy
使用表面增强拉曼光谱评估薄应变 SiGe 层中的各向异性双轴应力
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Yamamoto; D. Kosemura; M. Tomita; S. N. Che Mohd Yusoff; K. Kijima; R. Imai; K. Takeuchi; R. Yokogawa; K. Usuda;A. Ogura
- 通讯作者：A. Ogura
Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy
使用表面增强拉曼光谱评估薄应变 SiGe 层中的各向异性双轴应力
- DOI：10.1149/06406.0841ecst
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Yamamoto; D. Kosemura; M. Tomita; S. Che Mohd Yusoff; T. Kijima; R. Imai; K. Takeuchi; R. Yokogawa; K. Usuda;A. Ogura
- 通讯作者：A. Ogura
高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出
高Ge浓度SiGe中声子变形势的推导
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：武内一真;小瀬村大亮;山本章太郎;富田基裕;臼田宏治;小椋厚志
- 通讯作者：小椋厚志
高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価
高Ge浓度应变SiGe台面结构各向异性双轴应力的评估
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本章太郎;武内一真;富田基裕;小瀬村大亮;臼田宏治;小椋厚志
- 通讯作者：小椋厚志
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