Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane

非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响

基本信息

批准号：
17K05049
负责人：
Yukari Ishikawa
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05049/
关键词：
4H-SiC 非極性面転位 CL 積層欠陥 M面基底面転位部分転位 GaN EBIC TEM 拡張結晶工学半導体

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

X-ray diffraction and Raman characterization of β-Ga2O3 single crystal grown by edge-defined film-fed growth method

边缘限定送膜生长法生长 β-Ga2O3 单晶的 X 射线衍射和拉曼表征

DOI：
10.1063/5.0007229
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Yao; Yongzhao; Sugawara; Yoshihiro; Yukari; Ishikawa;Takahashi; Yumiko; Hirano; Keiichi
通讯作者：
Keiichi

Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy

通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错

DOI：
10.35848/1347-4065/ab7dda
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Yongzhao Yao; Yoshihiro Sugawara;Yukari Ishikawa
通讯作者：
Yukari Ishikawa

Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation

电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masaki Sudo; Yukari Ishikawa; Yongzhao Yao; Yoshihiro Sugawara;Masashi Kato
通讯作者：
Masashi Kato

Synchrotron X-Ray Topography Observation and Classification of Dislocations in β-Ga2O3 single crystal substrates grown by edge-defined film-fed growth

边缘限定薄膜馈送生长的 β-Ga2O3 单晶衬底中位错的同步加速器 X 射线形貌观察和分类

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yao; Yongzhao; Sugawara; Yoshihiro; Yukari; Ishikawa;Takahashi; Yumiko; Hirano; Keiichi
通讯作者：
Keiichi

4H-SiC A面電子線励起による基底面転位の拡張挙動

4H-SiC A面电子束激发基面位错的扩展行为

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
石川由加里;須藤正喜;姚永昭;菅原義弘;加藤正史
通讯作者：
加藤正史

DOI：
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作者：
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DOI：
10.1007/978-1-4471-2306-4_6
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yukari Ishikawa;S. Herat
通讯作者：
S. Herat

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DOI：
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2023-11-01
期刊：
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通讯作者：
Stephanie Wright

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发表时间：
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通讯作者：
Yuto Saito

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DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yukari Ishikawa; Yoshihiro Sugawara; Yongzhao Yao; Syusui Ogawa; Daisaku yokoe; Hidetoshi Takeda; Hideo Aida; Kazuyuki Tadatomo
通讯作者：
Kazuyuki Tadatomo