Development of high quality semipolar-GaN substrates by HVPE with improved source-utilization efficiency

通过 HVPE 开发高质量半极性 GaN 衬底，提高资源利用率

• 批准号: 26790044
• 负责人: YAMANE KEISUKE
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Toyohashi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26790044/
• 关键词: ＧａＮ基板; 結晶欠陥; 非極性面; 反り; GaN基板; 結晶欠陥抑制; ハイドライド気相成長; 転位

项目成果

HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects

HVPE 生长的 GaN 衬底具有整体低位错密度以及晶格弯曲和缺陷之间的关系

• 发表时间: 2017
• 作者: N. Okada; K. Yamane; T. Matsubara; S. Goubara; H. Ihara; K. Yukizane; T. Ezaki; S. Fujimoto; R. Inomoto; K. Tadatomo
• 通讯作者: K. Tadatomo

Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

(22-43) 图案化蓝宝石衬底上生长的半极性 (20-21) HVPE-GaN 薄膜中缺陷分布的位置依赖性

• 发表时间: 2015
• 作者: T. Uchiyama; S. Takeuchi; S. Kamada; T. Arauchi; Y. Hashimoto; K. Yamane; N. Okada; Y. Imai; S. Kimura; K. Tadatomo; A. Sakai
• 通讯作者: A. Sakai

PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響

HVPE生长过程中PECVD法形成的SiO2掩膜质量对GaN选择性生长的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: 板垣憲広; 河原慎; 山根啓輔; 岡田成仁; 井本良; 本山慎一; 小林貴之; 只友 一行
• 通讯作者: 只友 一行

Thickness and Growth Condition Dependence of Crystallinity in Semipolar (20-21) GaN Films Grown on (22-43) Patterned Sapphire Substrate

在 (22-43) 图案化蓝宝石衬底上生长的半极性 (20-21) GaN 薄膜中结晶度的厚度和生长条件依赖性

• DOI: 10.1002/pssb.201451562
• 发表时间: 2015
• 作者: S. Takeuchi; T. Uchiyama; T. Arauchi; Y. Nakamura; K. Yamane; N. Okada; K. Tadatomo; A. Sakai
• 通讯作者: A. Sakai

Structural origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

氢化物气相外延生长的独立式 GaN 衬底晶格弯曲的结构起源

• 发表时间: 2016
• 作者: K. Yamane; T. Matsubara; N. Okada; A. Wakahara; K. Tadatomo
• 通讯作者: K. Tadatomo