Wafer level integration of nitride semiconductor device and Si CMOS integrated circuit for sensor application
氮化物半导体器件和传感器应用Si CMOS集成电路的晶圆级集成
基本信息
- 批准号：25420330
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence
基于380keV质子注量的两端电阻依赖性的p型和n型GaN质子辐照效应研究
- DOI：10.1587/transele.e97.c.409
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0.5
- 作者：H. Okada; Y. Okada; H. Sekiguchi; A. Wakahara; S. Sato;T. Ohshima
- 通讯作者：T. Ohshima
イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製
使用离子注入技术制造平面 GaN-LED
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上月 誠也;土山 和晃;山根 啓輔;関口 寛人;岡田 浩;若原 昭浩
- 通讯作者：若原 昭浩
Investigation of surface treatment and passivation for GaN-based transistors
GaN基晶体管的表面处理和钝化研究
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroshi Okada; Masatoshi Shinohara; Yutaka Kondo; Hiroto Sekiguchi; Keisuke Yamane;Akihiro Wakahara
- 通讯作者：Akihiro Wakahara
Solar-Blind Ultraviolet Detector Based on Al0.49Ga0.51N/AlN Back-Illuminated Schottky Barrier Diode
基于Al0.49Ga0.51N/AlN背照式肖特基势垒二极管的日盲紫外探测器
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ousmane Barry; Hiroto Sekiguchi; Keisuke Yamane; Hiroshi Okada; Akihiro Wakahara; Hideto Miyake; Masakazu Hiramatsu
- 通讯作者：Masakazu Hiramatsu
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Matsuo Yutaka
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Okada Hiroshi
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Okada Hiroshi
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16K08434 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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16K05988 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
25390157 - 财政年份：2013
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- 批准号：
20K14797 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号：
19H00754 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
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- 资助金额：
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- 批准号：
17K06337 - 财政年份：2017
- 资助金额：
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