Development of tunnel field-effect transistor with steep switching based on dimensional control of density-of-state
基于态密度尺寸控制的陡峭开关隧道场效应晶体管的研制
基本信息
- 批准号:20K14797
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique
采用倾斜离子注入技术实现的硅双层隧道场效应晶体管结构
- DOI:10.1016/j.sse.2021.107993
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:1.7
- 作者:Kato Kimihiko;Asai Hidehiro;Fukuda Koichi;Mori Takahiro;Morita Yukinori
- 通讯作者:Morita Yukinori
集積シリコン量子素子に向けたネガレジスト電子線リソグラフィ技術の構築
集成硅量子器件负阻电子束光刻技术构建
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤 公彦; 柳 永勛; 森田 行則; 森 貴洋
- 通讯作者:森 貴洋
Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a negative-tone resist
使用负性抗蚀剂通过电子束光刻技术制造的物理定义的硅量子点器件的单电子晶体管操作
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shimpei Nishiyama; Kimihiko Kato; Yongxun Liu; Raisei Mizokuchi; Jun Yoneda; Tetsuo Kodera;Takahiro Mori
- 通讯作者:Takahiro Mori
Single electron transport and electron spin qubit operation in Si tunnel FETs with an isoelectronic trap impurity of beryllium
具有铍等电子陷阱杂质的硅隧道 FET 中的单电子传输和电子自旋量子位操作
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshisuke Ban; Kimihiko Kato; Shota Iizuka; Koji Ishibashi; Satoshi Moriyama; Takahiro Mori;Keiji Ono
- 通讯作者:Keiji Ono
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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10.1063/1.5144198 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:3.2
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Lee Tsung;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者:
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通过全外显子组关联研究鉴定出五种遗传变异作为日本 2 型糖尿病的新决定因素
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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