Development of tunnel field-effect transistor with steep switching based on dimensional control of density-of-state

基于态密度尺寸控制的陡峭开关隧道场效应晶体管的研制

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
集積シリコン量子ビット作製に向けた電子線リソグラフィ技術の開発
开发用于制造集成硅量子位的电子束光刻技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 公彦
  • 通讯作者:
    加藤 公彦
Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique
采用倾斜离子注入技术实现的硅双层隧道场效应晶体管结构
  • DOI:
    10.1016/j.sse.2021.107993
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Kato Kimihiko;Asai Hidehiro;Fukuda Koichi;Mori Takahiro;Morita Yukinori
  • 通讯作者:
    Morita Yukinori
集積シリコン量子素子に向けたネガレジスト電子線リソグラフィ技術の構築
集成硅量子器件负阻电子束光刻技术构建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 公彦; 柳 永勛; 森田 行則; 森 貴洋
  • 通讯作者:
    森 貴洋
Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a negative-tone resist
使用负性抗蚀剂通过电子束光刻技术制造的物理定义的硅量子点器件的单电子晶体管操作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shimpei Nishiyama; Kimihiko Kato; Yongxun Liu; Raisei Mizokuchi; Jun Yoneda; Tetsuo Kodera;Takahiro Mori
  • 通讯作者:
    Takahiro Mori
Single electron transport and electron spin qubit operation in Si tunnel FETs with an isoelectronic trap impurity of beryllium
具有铍等电子陷阱杂质的硅隧道 FET 中的单电子传输和电子自旋量子位操作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshisuke Ban; Kimihiko Kato; Shota Iizuka; Koji Ishibashi; Satoshi Moriyama; Takahiro Mori;Keiji Ono
  • 通讯作者:
    Keiji Ono
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Kato Kimihiko其他文献

TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing
通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
  • DOI:
    10.1063/1.5020080
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kato Kimihiko; Matsui Hiroaki; Tabata Hitoshi; Takenaka Mitsuru; Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi
Identification of polymorphisms in 12q24.1, ACAD10, and BRAP as novel genetic determinants of blood pressure in Japanese by exome-wide association studies
通过全外显子组关联研究将 12q24.1、<i>ACAD10</i> 和 <i>BRAP</i> 中的多态性鉴定为日本人血压的新遗传决定因素
  • DOI:
    10.18632/oncotarget.17474
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamada Yoshiji;Sakuma Jun;Takeuchi Ichiro;Yasukochi Yoshiki;Kato Kimihiko;Oguri Mitsutoshi;Fujimaki Tetsuo;Horibe Hideki;Muramatsu Masaaki;Sawabe Motoji;Fujiwara Yoshinori;Taniguchi Yu;Obuchi Shuichi;Kawai Hisashi;Shinkai Shoji;Mori Seijiro;Arai Tomio;Tan
  • 通讯作者:
    Tan
Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing
TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性
  • DOI:
    10.1063/1.5144198
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Lee Tsung;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi
Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing
TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性
  • DOI:
    10.1063/1.5144198
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Lee Tsung;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi
Identification of five genetic variants as novel determinants of type 2 diabetes mellitus in Japanese by exome-wide association studies
通过全外显子组关联研究鉴定出五种遗传变异作为日本 2 型糖尿病的新决定因素
  • DOI:
    10.18632/oncotarget.19287
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamada Yoshiji;Sakuma Jun;Takeuchi Ichiro;Yasukochi Yoshiki;Kato Kimihiko;Oguri Mitsutoshi;Fujimaki Tetsuo;Horibe Hideki;Muramatsu Masaaki;Sawabe Motoji;Fujiwara Yoshinori;Taniguchi Yu;Obuchi Shuichi;Kawai Hisashi;Shinkai Shoji;Mori Seijiro;Arai Tomio;Tan
  • 通讯作者:
    Tan

Kato Kimihiko的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

双极性有机薄膜晶体管传感阵列在肺癌早诊中的应用研究
  • 批准号:
    22304128
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于氮化铝绝缘层的多晶铝-锡共掺杂氧化铟薄膜晶体管研究
  • 批准号:
    62304090
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
多晶硅薄膜晶体管的静电放电应力可靠性研究
  • 批准号:
    62374110
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48 万元
  • 项目类别:
    面上项目
面向生物混合电子的亚热电陡直亚阈有机薄膜晶体管
  • 批准号:
    62374102
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于快速热退火的高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研制及相关机制研究
  • 批准号:
    62371327
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

III-V/2D heterojunction tunneling transistor
III-V/2D 异质结隧道晶体管
  • 批准号:
    18K04279
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代LSIの実現へ向けた高性能ゲルマニウム・スズ・トランジスタの創製
创造高性能锗锡晶体管以实现下一代LSI
  • 批准号:
    16J08200
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了