GaN-based integrated electronics operable in harsh environment
可在恶劣环境下运行的基于 GaN 的集成电子器件
基本信息
- 批准号：17K06383
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)
离子注入法控制氮化物半导体电性能及其在集成电路中的应用研究（2）
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：横山 太一;三輪 清允;岡田 浩;関口 寛人;山根 啓輔;若原 昭浩
- 通讯作者：若原 昭浩
基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用
利用基态氧原子化学气相沉积氧化硅薄膜的氮化物半导体应用
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：馬場真人;垣内佑斗;岡田浩;古川雅一;山根啓輔;関口寛人;若原昭浩
- 通讯作者：若原昭浩
表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2)
表面波等离子体增强化学气相沉积氧化硅薄膜的沉积与评价（2）
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：馬場 真人;中村 健人;岡田 浩;古川 雅一;山根 啓輔;関口 寛人;若原 昭浩
- 通讯作者：若原 昭浩
GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs
采用单片集成阈值控制 MOSFET 的 GaN 逆变器
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroto Sekiguchi ; Kiyomasa Miwa ; Keisuke Yamane ; Akihiro Wakahara ; Hiroshi Okada
- 通讯作者：Hiroshi Okada
窒化物半導体デバイス応用に向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討
使用表面波等离子体增强化学气相沉积研究硅基绝缘膜，用于氮化物半导体器件应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：馬場真人;岡田浩;古川雅一;山根啓輔;関口寛人;若原昭浩
- 通讯作者：若原昭浩
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Okada Hiroshi
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