Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain
具有肖特基源极/漏极的基于 SiC 的等离子体晶体管的开发
基本信息
- 批准号:24686008
- 负责人:
- 金额:$ 17.14万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
了解 SiC 金属氧化物半导体器件中移动离子引起的偏压温度不稳定性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:チャンタパン アタウット; 中野佑紀; 中村 孝; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
- 通讯作者:渡部 平司
4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
4H-SiC(0001)表面热氧化过程中氧化物种类与氧化速率的关系
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:永井 大介; 福島 悠太; 勝 義仁; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
- 通讯作者:渡部 平司
Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates
热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能
- DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:細井卓治
- 通讯作者:細井卓治
4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
水分子在4H-SiC(0001)表面湿氧化中的作用
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:永井 大介; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
- 通讯作者:渡部 平司
Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics
使用氧氮化铝电介质改善 SiC 金属氧化物半导体器件的偏置温度不稳定性特性
- DOI:10.1063/1.4870047
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:A. Chanthaphan; T. Hosoi; Y. Nakano; T. Nakamura; T. Shimura;H. Watanabe
- 通讯作者:H. Watanabe
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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