Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain

具有肖特基源极/漏极的基于 SiC 的等离子体晶体管的开发

基本信息

  • 批准号:
    24686008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 17.14万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
了解 SiC 金属氧化物半导体器件中移动离子引起的偏压温度不稳定性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    チャンタパン アタウット; 中野佑紀; 中村 孝; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
  • 通讯作者:
    渡部 平司
4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
4H-SiC(0001)表面热氧化过程中氧化物种类与氧化速率的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永井 大介; 福島 悠太; 勝 義仁; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
  • 通讯作者:
    渡部 平司
Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates
热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能
  • DOI:
    10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    細井卓治
  • 通讯作者:
    細井卓治
4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
水分子在4H-SiC(0001)表面湿氧化中的作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永井 大介; 細井 卓治; 志村 考功; 渡部 平司
  • 通讯作者:
    渡部 平司
Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics
使用氧氮化铝电介质改善 SiC 金属氧化物半导体器件的偏置温度不稳定性特性
  • DOI:
    10.1063/1.4870047
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    A. Chanthaphan; T. Hosoi; Y. Nakano; T. Nakamura; T. Shimura;H. Watanabe
  • 通讯作者:
    H. Watanabe
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  • 资助金额:
    $ 17.14万
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