Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing

基于激光退火液相外延选择性形成绝缘体上锗结构

• 批准号: 21760009
• 负责人: HOSOI Takuji
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760009/
• 关键词: ゲルマニウム; GOI基板; SGOI基板; 液相エピタキシャル成長; 半導体基板; SiGe(シリコンゲルマニウム); GOI(Germanium On Insulator); GOI (Germanium On Insulator)

GOI (Ge-On-Insulator) and SGOI(SiGe-On-Insulator) structures are promising candidates for next-generation semiconductor substrate. We proposed and demonstrated the selective fabrication of single-crystalline Ge wires and high-quality fully relaxed SiGe layers on insulators by liquid-phase epitaxy.

GOI（绝缘体上Ge）和SGOI（绝缘体上SiGe）结构是下一代半导体衬底的有希望的候选结构。我们提出并演示了通过液相外延在绝缘体上选择性制造单晶Ge线和高质量完全松弛SiGe层。

项目成果

Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy

采用横向液相外延法在绝缘体上制备 Ge 纳米线

• 发表时间: 2009
• 作者: C.Yoshimoto; et al.
• 通讯作者: et al.

急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製

快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构

• 发表时间: 2011
• 作者: 荻原伸平;鈴木雄一朗;吉本千秋;細井卓治; 志村考功; 渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製

快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构

• 发表时间: 2010
• 作者: 荻原伸平;細井卓治; 他3名
• 通讯作者: 他3名

Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth

横向液相外延制备绝缘体上局部 Ge 结构：控制 Ge 与绝缘体之间的界面能对横向外延生长的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Hashimoto; et al.
• 通讯作者: et al.

急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性

快速加热液相外延生长法制备的SGOI结构中Ge浓度的退火温度依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 荻原伸平;細井卓治; 他4名
• 通讯作者: 他4名