Improving the output current of boron-doped diamond MOSFETs
提高硼掺杂金刚石 MOSFET 的输出电流
基本信息
- 批准号：23K03966
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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