Development of low-loss inversion channel diamond MOSFET using nitrogen doping

使用氮掺杂开发低损耗反型沟道金刚石 MOSFET

基本信息

批准号：
19K15042
负责人：
Matsumoto Tsubasa
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15042/
关键词：
ダイヤモンド MOSFET パワーデバイス MOS 反転層高周波

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Insight into Al2O3/diamond interface states with high-temperature conductance method

利用高温电导法深入了解 Al2O3/金刚石界面态

DOI：
10.1063/5.0021785
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Ukyo Sakurai;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Mitsuru Sometani;Satoshi Yamasaki;Christoph E. Nebel;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
通讯作者：
and Norio Tokuda

ダイヤモンドデバイスとMOS界面の現状

金刚石器件和MOS接口的现状

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Wenhui Luo;Naoki Takeuchi;Olivia Chen;松本翼,　桜井海匡,加藤宙光,　牧野俊晴,　小倉政彦,　竹内大輔,　山崎聡,　猪熊孝夫,　徳田規夫
通讯作者：
松本翼,　桜井海匡,加藤宙光,　牧野俊晴,　小倉政彦,　竹内大輔,　山崎聡,　猪熊孝夫,　徳田規夫

Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs

金刚石 MOSFET 反转沟道迁移率改进的最新进展

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.Matsumoto,　U.Sakurai;T.Yamakawa;H.Kato;T.Makino;M.Ogura;D.Takeuchi;S.Yamasaki;T.Inokuma;N.Tokuda,
通讯作者：
N.Tokuda,

Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond

DOI：
10.1016/j.carbon.2020.11.072
发表时间：
2020-12
期刊：
Carbon
影响因子：
10.9
作者：
Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
通讯作者：
Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda

窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

采用氮掺杂体的反型层金刚石 MOSFET 的特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
松本翼;桜井海匡，山河智哉;加藤宙光;牧野俊晴;小倉政彦;竹内大輔;猪熊孝夫;山崎聡;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

DOI：
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作者：
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Matsumoto Tsubasa其他文献

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DOI：
10.1164/rccm.202012-4374im
发表时间：
2021
期刊：
American Journal of Respiratory and Critical Care Medicine
影响因子：
24.7
作者：
Ikari Kota;Tezuka Junichiro;Matsumoto Tsubasa;Tsuji Moeri;Kawamura Masaru;Oda Takuya;Ueki Shigeharu
通讯作者：
Ueki Shigeharu

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金刚石电子和晶体材料发展的未来愿景

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

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发表时间：
2021
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影响因子：
0
作者：
Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio;雨宮裕樹，花田研太，杉本謙二
通讯作者：
雨宮裕樹，花田研太，杉本謙二

Minimax戦略に基づく資源配置による感染拡大抑止

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DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhang Xufang;Matsumoto Tsubasa;Nakano Yuta;Noguchi Hitoshi;Kato Hiromitsu;Makino Toshiharu;Takeuchi Daisuke;Ogura Masahiko;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Inokuma Takao;Tokuda Norio;田口泰成，足立亮介，若佐裕治
通讯作者：
田口泰成，足立亮介，若佐裕治

Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth

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DOI：
10.1016/j.apsusc.2022.153340
发表时间：
2022
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
通讯作者：
Tokuda Norio