Limiting factor elucidation of channel mobility in inversion-type p-channel diamond MOSFETs

反型 p 沟道金刚石 MOSFET 中沟道迁移率的限制因素阐明

基本信息

  • 批准号:
    20K14773
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method
高温电导法分析 Al2O3/金刚石 MOS 结构的深界面陷阱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Ukyo Sakurai;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Satoshi Yamasaki;Mitsuru Sometani;Dai Okamoto; Hiroshi Yano;Noriyuki Iwamuro;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
  • 通讯作者:
    and Norio Tokuda
Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
  • DOI:
    10.1016/j.carbon.2020.07.019
  • 发表时间:
    2020-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.9
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;U. Sakurai;T. Makino;M. Ogura;S. Yamasaki;M. Sometani;D. Okamoto;H. Yano;N. Iwamuro;T. Inokuma;N. Tokuda
  • 通讯作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;U. Sakurai;T. Makino;M. Ogura;S. Yamasaki;M. Sometani;D. Okamoto;H. Yano;N. Iwamuro;T. Inokuma;N. Tokuda
Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond
  • DOI:
    10.1016/j.carbon.2020.11.072
  • 发表时间:
    2020-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.9
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
  • 通讯作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
Inversion-type p-channel diamond MOSFET issues
  • DOI:
    10.1557/s43578-021-00317-z
  • 发表时间:
    2021-08-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Zhang, Xufang;Matsumoto, Tsubasa;Tokuda, Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda, Norio
High-temperature conductance analysis for Al2O3/diamond interface states
Al2O3/金刚石界面态的高温电导分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Mitsuru Sometani;Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro;Satoshi Yamasaki;Christoph E. Nebel;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
  • 通讯作者:
    and Norio Tokuda
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    Tokuda Norio
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    花田研太

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    2023
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    $ 2.66万
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