Limiting factor elucidation of channel mobility in inversion-type p-channel diamond MOSFETs
反型 p 沟道金刚石 MOSFET 中沟道迁移率的限制因素阐明
基本信息
- 批准号:20K14773
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method
高温电导法分析 Al2O3/金刚石 MOS 结构的深界面陷阱
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Ukyo Sakurai;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Satoshi Yamasaki;Mitsuru Sometani;Dai Okamoto; Hiroshi Yano;Noriyuki Iwamuro;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
- 通讯作者:and Norio Tokuda
Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
- DOI:10.1016/j.carbon.2020.07.019
- 发表时间:2020-10
- 期刊:
- 影响因子:10.9
- 作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;U. Sakurai;T. Makino;M. Ogura;S. Yamasaki;M. Sometani;D. Okamoto;H. Yano;N. Iwamuro;T. Inokuma;N. Tokuda
- 通讯作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;U. Sakurai;T. Makino;M. Ogura;S. Yamasaki;M. Sometani;D. Okamoto;H. Yano;N. Iwamuro;T. Inokuma;N. Tokuda
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- DOI:10.1016/j.carbon.2020.11.072
- 发表时间:2020-12
- 期刊:
- 影响因子:10.9
- 作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
- 通讯作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
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- DOI:10.1557/s43578-021-00317-z
- 发表时间:2021-08-04
- 期刊:
- 影响因子:2.7
- 作者:Zhang, Xufang;Matsumoto, Tsubasa;Tokuda, Norio
- 通讯作者:Tokuda, Norio
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- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Mitsuru Sometani;Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro;Satoshi Yamasaki;Christoph E. Nebel;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
- 通讯作者:and Norio Tokuda
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