極低温環境下におけるSi-MOS界面散乱体の起源解明に向けた定量化手法の確立

建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源

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近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
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