Elucidation of the physical origin of the dominant scattering mechanism of electron mobility in SiC MOS interfaces
阐明 SiC MOS 界面中电子迁移率主要散射机制的物理起源
基本信息
- 批准号：23K03928
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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