Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发
基本信息
- 批准号：23K03927
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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