High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application

用于超高速晶体管应用的绝缘体上应变Ge的高质量形成

基本信息

  • 批准号：
    23360138
  • 负责人：
    SADOH Taizoh
  • 金额：
    $ 12.48万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2011
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2011-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

To achieve ultrahigh-speed transistors, which can be merged with large-scale integrated circuits (LSIs), techniques for formation of high-quality strained Ge on insulator has been developed. Here, SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth, insulating-film-induced local-strain introduction, and impurity-doping processes are investigated. These techniques facilitate formation of ultrahigh-sped Ge-on-insulator transistors for advanced LSIs.
为了实现可与大规模集成电路（LSI）合并的超高速晶体管，已经开发了在绝缘体上形成高质量应变Ge的技术。在这里，研究了 SiGe 混合触发的快速熔化生长、绝缘膜引起的局部应变引入和杂质掺杂过程。这些技术有利于先进LSI 的超高速绝缘体上Ge 晶体管的形成。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures
通过调节 SiN 网络结构来增强 Si 自支撑微结构中 SiN 引起的压缩和拉伸应变
  • DOI：
    10.1016/j.tsf.2011.10.088
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    T.Sadoh; M.Kurosawa; A.Heya; N.Matsuo; M.Miyao
  • 通讯作者：
    M.Miyao
Strained single-crystal GOI (Ge on Insulator) arrays by rapid-melting growth from Si (111) micro-seeds
通过 Si (111) 微晶种快速熔融生长制备应变单晶 GOI（绝缘体上的 Ge）阵列
  • DOI：
    10.1016/j.sse.2011.01.037
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    T. Sakane; K. Toko; T. Tanaka; T. Sadoh; M. Miyao
  • 通讯作者：
    M. Miyao
Chip-size formation of high-mobility Ge strips on SiN films by cooling rate controlled rapid-melting growth
通过冷却速率控制快速熔化生长在 SiN 薄膜上形成芯片尺寸的高迁移率 Ge 带
  • DOI：
    10.1063/1.3611904
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    K. Toko; Y. Ohta; T. Tanaka; T. Sadoh;M. Miyao
  • 通讯作者：
    M. Miyao
Narrowing-Induced Orientation-Stabilization in Rapid-Melting Growth of Ge-on- Insulator
绝缘体上 Ge 快速熔化生长中的窄化诱导取向稳定
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Muta; M. Anisuzzaman; A.M.Hashim;T. Sadoh
  • 通讯作者：
    T. Sadoh
Effects of dose on activation characteristics of P in Ge
剂量对Ge中P活化特性的影响
  • DOI：
    10.1016/j.tsf.2011.10.076
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    M. Anisuzzaman;T. Sadoh
  • 通讯作者：
    T. Sadoh
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

SADOH Taizoh其他文献

SADOH Taizoh的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

{{ truncateString('SADOH Taizoh', 18)}}的其他基金

Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
绝缘体上GeSn晶体的低温生长及其在三维LSI高速晶体管中的应用
  • 批准号：
    15H03976
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
在玻璃上形成应变准单晶 SiGe 用于晶体管应用
  • 批准号：
    20560011
  • 财政年份：
    2008
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor
高性能晶体管玻璃上 SiGe 应变和取向的控制
  • 批准号：
    19560316
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Dynamic Behavior of Radiation-induced Defects in Silicon Crystal and Its Application to Semiconductor Technology
硅晶体辐射缺陷的动态行为及其在半导体技术中的应用
  • 批准号：
    10650013
  • 财政年份：
    1998
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似国自然基金

Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
  • 批准号：
    10774081
  • 批准年份：
    2007
  • 资助金额：
    45.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似海外基金

通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
  • 批准号：
    22KJ1532
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of high-quality semiconductor thin films on insulator for transistor application
在晶体管应用的绝缘体上形成高质量半导体薄膜
  • 批准号：
    22K04186
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
分子配向と結晶成長を指向した有機半導体成膜法の開発と有機トランジスタへの応用
面向分子取向和晶体生长的有机半导体成膜方法的开发及其在有机晶体管中的应用
  • 批准号：
    21K05217
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
その場観察法を用いた有機半導体薄膜の成長メカニズムの解明
利用原位观察方法阐明有机半导体薄膜的生长机理
  • 批准号：
    21K04195
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of a Simple, Scalable, and Vacuum-Free Method to Fabricate Organic Semiconductor Single Crystals with Area Selectivity for High Performance Organic Field-Effect Transistor Applications
开发一种简单、可扩展且无真空的方法来制造具有区域选择性的有机半导体单晶，用于高性能有机场效应晶体管应用
  • 批准号：
    20K22421
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了