Sensitive optical sensors using amorphous oxide semiconductors

使用非晶氧化物半导体的灵敏光学传感器

基本信息

批准号：
21K18814
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Transport properties of Zn3N2 investigated by ionic liquid gated electric-double-layer transistors

离子液体门控双电层晶体管研究Zn3N2的输运特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kaiwen Li;Kota Hanzawa;Keisuke Ide;Kosuke Matsuzaki;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Zhang Qun;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

神谷研究室

神谷研究所

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Present status of amorphous oxide semiconductor: Electronic defects and material development

非晶氧化物半导体的现状：电子缺陷与材料发展

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Ide;H. Hosono;T. Kamiya
通讯作者：
T. Kamiya

Fudan University(中国)

复旦大学（中国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

超高真空スパッタリング装置を用いた高移動度多結晶 Zn3N2 薄膜

采用超高真空溅射设备制备高迁移率多晶Zn3N2薄膜

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
清水篤,井手啓介,片瀬貴義,平松秀典,細野秀雄,神谷利夫
通讯作者：
清水篤,井手啓介,片瀬貴義,平松秀典,細野秀雄,神谷利夫

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Ide Keisuke其他文献

Thin-Film Growth and High-Tc Superconductivity of Fe-Based Layered Compounds

铁基层状化合物的薄膜生长和高温超导性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Xiao Zewen;Ran Fan-Yong;Liao Min;Hiramatsu Hidenori;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;H. Hiramatsu and H. Hosono
通讯作者：
H. Hiramatsu and H. Hosono

TEM investigation of dislocation structures and twinning behavior in oxide crystals

氧化物晶体中位错结构和孪生行为的 TEM 研究

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;Eita Tochigi
通讯作者：
Eita Tochigi

Multiple states and roles of hydrogen in p-type SnS semiconductors

p型SnS半导体中氢的多种状态和作用

DOI：
10.1039/c8cp02261e
发表时间：
2018
期刊：
Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子：
3.3
作者：
Xiao Zewen;Ran Fan-Yong;Liao Min;Hiramatsu Hidenori;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Local Structure Properties of Hydrogenated and Nonhydrogenated Amorphous In?Ga?Zn?O Thin Films Using XAFS and High-Energy XRD

XAFS 和高能 XRD 氢化和非氢化非晶 InGaZnO 薄膜的局部结构特性

DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c02437
发表时间：
2021
期刊：
The Journal of Physical Chemistry C
影响因子：
0
作者：
Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ishikawa Kyohei;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;Sakata Osami
通讯作者：
Sakata Osami

Heteroepitaxial thin-film growth of iron-based superconductors

铁基超导体的异质外延薄膜生长

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Xiao Zewen;Ran Fan-Yong;Liao Min;Hiramatsu Hidenori;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;H. Hiramatsu and H. Hosono;H. Hiramatsu and H. Hosono
通讯作者：
H. Hiramatsu and H. Hosono