Development of semiconductor intra-center photonics

半导体中心内光子学的发展

基本信息

  • 批准号:
    18H05212
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 407.93万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-23 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

【課題1】光励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓: <課題1-1>Eu添加GaNマイクロディスク光共振器に関する作製プロセスの最適化により、世界最高値である実測Q値9,680を実現した。Eu発光のPurcell効果による大幅な短寿命化(30 us)を観測した。 <課題1-2>Eu添加GaN 2次元フォトニック結晶光共振器において、Line-defect (LN)型に比べて、Hexagonal-defect (HN)型の共振器Q値が空気孔の形状不均一の影響を受けにくいことを明らかにした。H3型を作製し、共振器モードとEu発光のカップリングを観測した。 <課題1-3>Eu添加GaNにおいて、光学利得の波長依存性と一致したEu発光増強を観測し、Amplified Spontaneous Emissionの発生を実証した。【課題2】電流励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓: <課題2-1>n型GaNを成長用基板として、Al0.18In0.82N /GaN DBRを有する垂直共振器型Eu添加GaNマイクロ光共振器LEDを作製し、75倍のEu発光増強を実現した。 <課題2-2>架橋構造を有する直上電極型Eu添加GaNマイクロディスク共振器LEDについて、電極形状と引き出し線幅がwhispering galleryモードに与える影響についてシミュレーションを行い、最適値を決定した。【課題3】フルカラー化への展開と集積化: <課題3-1>Tm,Mg共添加AlxGa1-xNを発光層とするLEDにおいて、Tmイオンに起因する明瞭な青色発光を得ることに世界で初めて成功した。 <課題3-2>Tb添加母体をAlxGa1-xNにすることにより、光励起下で緑色発光を含む、Tbイオンに起因する明瞭な発光を観測した。LEDを試作し、電流注入下でTb発光の観測に世界で初めて成功した。
[问题1]通过光激发下的光子场控制开发Eu发光功能:<问题1-1>通过优化Eu掺杂GaN微盘光学谐振器的制造工艺,实现了世界最高的测量Q值9,680。我们观察到由于 Eu 发射的珀塞尔效应,寿命显着缩短(30 us)。 <问题1-2> 在Eu掺杂GaN二维光子晶体光学谐振器中,与线缺陷(LN)型相比,六方缺陷(HN)型谐振器Q值是由于非-气孔形状均匀,不易受到影响。我们制作了 H3 型并观察了腔模与 Eu 发射之间的耦合。 <问题1-3> 在Eu掺杂的GaN中,我们观察到与光学增益的波长相关性一致的Eu发射增强,并证明了放大自发发射的发生。 [问题2]通过电流激发下的光子场控制开发Eu发光功能:<问题2-1>使用n型GaN作为生长衬底的Al0.18In0.82N /GaN DBR的垂直腔型Eu掺杂我们制作了GaN微光腔LED并实现75倍Eu发射增强。 <问题2-2> 对于具有交联结构的正上方电极型Eu掺杂GaN微盘谐振器LED,我们对电极形状和引线宽度对回音壁模式的影响进行了模拟,并确定了最优值。 [问题3]面向全彩的部署和集成:<问题3-1>在以Tm、Mg共掺杂AlxGa1-xN作为发光层的LED中通过Tm离子获得清晰的蓝光发射我第一次成功。 <问题3-2> 通过使用Al x Ga 1-x N作为Tb掺杂基质,在光激发下观察到由Tb离子引起的清晰的发光,包括绿光发射。我们制作了原型 LED,并在世界上首次成功观测到电流注入下的 Tb 发射。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of Eu3+ ions
GaN 与 Eu3 离子各种激发态之间能量转移的皮秒时间分辨动力学
  • DOI:
    10.1103/physrevb.100.081201
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    R. Wei;B. Mitchell;D. Timmerman;T. Gregorkiewicz;W. Zhu;J. Tatebayashi;S. Ichikawa;Y. Fujiwara;and V. Dierolf
  • 通讯作者:
    and V. Dierolf
Quantitative evaluation of enhanced Er luminescence in GaAs-based two-dimensional photonic crystal nanocavities
  • DOI:
    10.1063/1.5142778
  • 发表时间:
    2020-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    M. Ogawa;J. Tatebayashi;N. Fujioka;R. Higashi;M. Fujita;S. Noda;D. Timmerman;S. Ichikawa;Y. Fujiwara
  • 通讯作者:
    M. Ogawa;J. Tatebayashi;N. Fujioka;R. Higashi;M. Fujita;S. Noda;D. Timmerman;S. Ichikawa;Y. Fujiwara
窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用
氮化物半导体生长中阶梯聚束机制的控制及应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川修平;船戸充;川上養一;藤原康文
  • 通讯作者:
    藤原康文
希土類添加窒化物半導体素子とその製造方法、半導体LED、半導体レーザー
稀土掺杂氮化物半导体器件及其制造方法、半导体LED、半导体激光器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
マイクロLEDディスプレイに資する窒化物半導体赤色LEDの新展開
氮化物半导体红色 LED 的新进展有助于 Micro LED 显示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤原康文
  • 通讯作者:
    藤原康文
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藤原 康文其他文献

Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device
用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
  • 通讯作者:
    Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
時間分解二光子光電子分光法を利用したInGaN/GaN量子井戸の励起電子緩和寿命の評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的激发电子弛豫寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;保田 英洋
  • 通讯作者:
    保田 英洋
Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~
Eu掺杂GaN红色LED的进展以及使用双光子光电子能谱直接评估表面复合过程的提案〜迈向微型LED器件应用〜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信
Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作
通过掺铕 GaN 和 InGaN 量子阱混合堆叠并在室温下操作在同一蓝宝石衬底上制造全色 LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;塩見 圭史;森川 隆哉;佐々木 豊;D. Timmerma;舘林 潤;藤原 康文
  • 通讯作者:
    藤原 康文
Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device
GaN双谐振波导微腔SHG器件的设计与制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama;T. Komatsu,R. Noro,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;D. Tazuke,A. Higuchi,T. Hikosaka,T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T .Tanikawa and R. Katayama;A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;T. Nagata,S. Umeda,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;S. Umeda,T. Nagata,T. Hikosaka,S. Nuoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Morikawa,Y. Fujiwara,T. Tanikawa and R. Katayama;A. Yamauchi,T. Komatsu,K. Ikeda,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Ryo Tanabe,Naoki Yokoyama,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama;Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
  • 通讯作者:
    Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama

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New development of Semiconductors Intracenter Photonics
半导体中心光子学新进展
  • 批准号:
    23H05449
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Development of ultimate rare-earth luminescence properties by reconfiguration of luminescence centers in rare-earth-doped semiconductors
通过稀土掺杂半导体中发光中心的重构来开发最终的稀土发光特性
  • 批准号:
    23H00185
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors
半导体中稀土离子发光功能的光子场控制
  • 批准号:
    17H01264
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明
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  • 批准号:
    24246056
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
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  • 批准号:
    19656082
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
  • 批准号:
    19018014
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類添加半導体の励起・緩和機構の解明と波長超安定発光デバイス高性能化への応用
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  • 批准号:
    18360150
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長
硅基发光器件材料:β-FeSi2单晶的制备与同质外延生长
  • 批准号:
    17656108
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
  • 批准号:
    17042016
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
稀土元素掺杂半导体的新进展:通过有序控制表达新的自旋物理性质
  • 批准号:
    16031211
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
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相似海外基金

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半导体中心光子学新进展
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    2023
  • 资助金额:
    $ 407.93万
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    23H00185
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
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最外内殻電子励起と原子間輻射遷移の同時許容化による高速・高輝度シンチレータの開発
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  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
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  • 批准号:
    20K03945
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  • 资助金额:
    $ 407.93万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidations of the physical properties and actual condition of the crust-mantle boundary (Moho) by onshore drilling of the Oman Ophiolite
阿曼蛇绿岩陆上钻探阐明壳幔边界(莫霍面)的物理性质和实际状况
  • 批准号:
    16H02742
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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知道了