赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明
阐明发射红光的稀土掺杂氮化物半导体的能量传输机制
基本信息
- 批准号:24246056
- 负责人:
- 金额:$ 13.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
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藤原 康文其他文献
Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device
用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama - 通讯作者:
Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
時間分解二光子光電子分光法を利用したInGaN/GaN量子井戸の励起電子緩和寿命の評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的激发电子弛豫寿命
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
市川 修平;藤原 康文;保田 英洋 - 通讯作者:
保田 英洋
Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~
Eu掺杂GaN红色LED的进展以及使用双光子光电子能谱直接评估表面复合过程的提案〜迈向微型LED器件应用〜
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
市川 修平;藤原 康文;小島 一信 - 通讯作者:
小島 一信
Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作
通过掺铕 GaN 和 InGaN 量子阱混合堆叠并在室温下操作在同一蓝宝石衬底上制造全色 LED
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
市川 修平;塩見 圭史;森川 隆哉;佐々木 豊;D. Timmerma;舘林 潤;藤原 康文 - 通讯作者:
藤原 康文
Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device
GaN双谐振波导微腔SHG器件的设计与制造
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama;T. Komatsu,R. Noro,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;D. Tazuke,A. Higuchi,T. Hikosaka,T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T .Tanikawa and R. Katayama;A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;T. Nagata,S. Umeda,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;S. Umeda,T. Nagata,T. Hikosaka,S. Nuoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Morikawa,Y. Fujiwara,T. Tanikawa and R. Katayama;A. Yamauchi,T. Komatsu,K. Ikeda,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Ryo Tanabe,Naoki Yokoyama,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama;Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama - 通讯作者:
Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
藤原 康文的其他文献
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New development of Semiconductors Intracenter Photonics
半导体中心光子学新进展
- 批准号:
23H05449 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Development of ultimate rare-earth luminescence properties by reconfiguration of luminescence centers in rare-earth-doped semiconductors
通过稀土掺杂半导体中发光中心的重构来开发最终的稀土发光特性
- 批准号:
23H00185 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of semiconductor intra-center photonics
半导体中心内光子学的发展
- 批准号:
18H05212 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors
半导体中稀土离子发光功能的光子场控制
- 批准号:
17H01264 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
希土類添加半導体を基盤とした光ナノ共振器の作製と発光特性の評価
基于稀土掺杂半导体的光学纳米腔的制备及发光性能评价
- 批准号:
19656082 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
- 批准号:
19018014 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類添加半導体の励起・緩和機構の解明と波長超安定発光デバイス高性能化への応用
阐明稀土掺杂半导体的激发/弛豫机制及其在高性能超稳定发光器件中的应用
- 批准号:
18360150 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長
硅基发光器件材料:β-FeSi2单晶的制备与同质外延生长
- 批准号:
17656108 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
- 批准号:
17042016 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
稀土元素掺杂半导体的新进展:通过有序控制表达新的自旋物理性质
- 批准号:
16031211 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
相似国自然基金
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
- 批准号:10774081
- 批准年份:2007
- 资助金额:45.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Development of synthesis techniques to create a variety of compound nanosheet bundles and their applications to energy devices
开发合成技术以创建各种化合物纳米片束及其在能源设备中的应用
- 批准号:
20K04560 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on electronic and atomic structure of ZnMgTe epilayers for electrical conductivity control
用于电导率控制的 ZnMgTe 外延层的电子和原子结构研究
- 批准号:
17K06354 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Hybrid single crystallization using poorly-soluble organic and inorganic compounds for novel terahertz wave source
使用难溶有机和无机化合物的混合单晶用于新型太赫兹波源
- 批准号:
17K05972 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Understanding of transitions between excited states across neighboring nanostructures by using a technique of STM-induced light emission
使用 STM 诱导光发射技术了解相邻纳米结构的激发态之间的跃迁
- 批准号:
16K04988 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Orientation-controlled epitaxial growth of tungsten trioxide thin-films for sensor applications
用于传感器应用的三氧化钨薄膜的取向控制外延生长
- 批准号:
16K04936 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 13.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)