Development of ultimate rare-earth luminescence properties by reconfiguration of luminescence centers in rare-earth-doped semiconductors

通过稀土掺杂半导体中发光中心的重构来开发最终的稀土发光特性

基本信息

  • 批准号:
    23H00185
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.37万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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藤原 康文其他文献

Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device
用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
  • 通讯作者:
    Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
時間分解二光子光電子分光法を利用したInGaN/GaN量子井戸の励起電子緩和寿命の評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的激发电子弛豫寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;保田 英洋
  • 通讯作者:
    保田 英洋
Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~
Eu掺杂GaN红色LED的进展以及使用双光子光电子能谱直接评估表面复合过程的提案〜迈向微型LED器件应用〜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信
Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作
通过掺铕 GaN 和 InGaN 量子阱混合堆叠并在室温下操作在同一蓝宝石衬底上制造全色 LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;塩見 圭史;森川 隆哉;佐々木 豊;D. Timmerma;舘林 潤;藤原 康文
  • 通讯作者:
    藤原 康文
Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device
GaN双谐振波导微腔SHG器件的设计与制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama;T. Komatsu,R. Noro,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;D. Tazuke,A. Higuchi,T. Hikosaka,T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T .Tanikawa and R. Katayama;A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;T. Nagata,S. Umeda,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;S. Umeda,T. Nagata,T. Hikosaka,S. Nuoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Morikawa,Y. Fujiwara,T. Tanikawa and R. Katayama;A. Yamauchi,T. Komatsu,K. Ikeda,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;Ryo Tanabe,Naoki Yokoyama,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama;Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
  • 通讯作者:
    Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama

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  • 通讯作者:
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New development of Semiconductors Intracenter Photonics
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Development of semiconductor intra-center photonics
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  • 财政年份:
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  • 批准号:
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  • 资助金额:
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    17656108
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    2005
  • 资助金额:
    $ 30.37万
  • 项目类别:
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稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
  • 批准号:
    17042016
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 30.37万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
稀土元素掺杂半导体的新进展:通过有序控制表达新的自旋物理性质
  • 批准号:
    16031211
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 30.37万
  • 项目类别:
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相似海外基金

New development of Semiconductors Intracenter Photonics
半导体中心光子学新进展
  • 批准号:
    23H05449
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Development of semiconductor intra-center photonics
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