Fabrication of novel excitonic devices using flux-controlled sputter epitaxy and study of exciton transport in the devices

利用通量控制溅射外延制造新型激子器件并研究器件中的激子输运

基本信息

批准号：
18H01206
负责人：
Naho Itagaki
金额：
$ 11.23万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

スパッタエピタキシー法による(ZnO)X(InN)1-X膜の作製: 高温バッファー層の効果

溅射外延法制备(ZnO)X(InN)1-X薄膜：高温缓冲层的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
寺澤寛;金島健太郎;成重椋太;山下大輔;奥村賢直;鎌滝晋礼;古閑一憲;白谷正治;板垣奈穂
通讯作者：
板垣奈穂

Effects of Substrate temperature on Crystal Quality of (ZnO)x(InN)1-x Films Fabricated by Sputter Epitaxy

衬底温度对溅射外延制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜晶体质量的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Kaneshima;N. Miyahara;D. Yamashita;K. Kamataki;K. Koga;M. Shiratani;N. Itagaki
通讯作者：
N. Itagaki

Sputtering Growth of Metal Oxynitride Semiconductors for Excitonic Devices

用于激子器件的金属氮氧化物半导体的溅射生长

DOI：
10.1109/edtm50988.2021.9420921
发表时间：
2021
期刊：
Proc. 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference
影响因子：
0
作者：
Narishige Ryota;Itagaki Naho;Shiratani Masaharu
通讯作者：
Shiratani Masaharu

Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x Films on Sapphire Substrates

蓝宝石衬底上 (ZnO)x(InN)1-x 薄膜的溅射外延

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
N. Miyahara;S. Urakawa;D. Yamashita;K. Kamataki;K. Koga;M. Shiratani;N. Itagaki
通讯作者：
N. Itagaki

スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)x(InN)1-x膜の作製

溅射外延直接在蓝宝石衬底上制备富In(ZnO)x(InN)1-x薄膜

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
岡佑旗;長﨑百伸;小林進二;大島慎介;笠原寛史;伊神弘恵;門信一郎;南貴司;中村祐司;石澤明宏;木島滋;水内亨;岡田浩之;加藤悠;宮原奈乃華，山下大輔，鎌滝晋礼，中村大輔，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂
通讯作者：
宮原奈乃華，山下大輔，鎌滝晋礼，中村大輔，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂

DOI：
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作者：
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Naho Itagaki其他文献

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粉末靶材的薄膜形成及溅射现象

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tamiko Ohshima;Hiroharu Kawasaki;Yoshihito Yagyu;Takeshi Ihara;Yusuke Hibino;Naho Itagaki;Kazunori Koga;Masaharu Shiratani
通讯作者：
Masaharu Shiratani

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kunhiro KAMATAKI;Chen Feiyu;Tao Yang;Sakyo Okunaga;Daisuke Yamashita;Takamasa Okumura;Naho Itagaki;Kazunori Koga;Masaharu Shiratani
通讯作者：
Masaharu Shiratani

Ion Energy Distribution Function in DC Pulse biased Capacitively Coupled Plasma Discharge by using Particle-In-Cell/Monte Carlo Collision Model

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kohei Abe;Akihiro Yamamoto;Iori Nagao;Michihiro Otaka;Daisuke Yamashita;Kunihiro Kamataki;Takamasa Okumura;Naho Itagaki;Kazunori Koga;Masaharu Shiratani
通讯作者：
Masaharu Shiratani

Developing Prediction of Key Process Parameters of Plasma CVD for Fabricating a-Si:H Solar Cells through Boosting Technique

通过升压技术制造非晶硅：氢太阳能电池的等离子体CVD关键工艺参数的预测

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chen Feiyu;Kunihiro Kamataki;Tao Yang;Sakyo Okunaga;Daisuke Yamashita;Takamasa Okumura;Naho Itagaki;Kazunori Koga;Masaharu Shiratani
通讯作者：
Masaharu Shiratani

Impact of Amplitude Modulation of RF Discharge Voltage on the Spatial Profile of Nanoparticle Characteristics in Reactive Plasma

射频放电电压幅度调制对反应等离子体中纳米颗粒特征空间分布的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kunihiro Kamataki;Ren Zhou;Hiroshi Ohtomo;Daisuke Yamashita;Naho Itagaki;Kazunori Koga and Masaharu ShirataniKazunori Koga;Masaharu Shiratani
通讯作者：
Masaharu Shiratani