高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
基本信息
- 批准号：23K21051
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-02-28 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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通过高速球磨工艺新型机械化学合成碳纳米材料
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高品質半導体薄膜作製のためのプラズマ支援反応性スパッタリングプロセスの高度制御
用于制造高质量半导体薄膜的等离子体辅助反应溅射工艺的先进控制
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- 发表时间：
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江部 明憲
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利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
- 批准号：
21H01671 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
20035009 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フォノン励起型非熱的ナノ表面改質による次世代半導体活性化プロセスの開発
利用声子激发非热纳米表面改性开发下一代半导体活化工艺
- 批准号：
19026009 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高周波誘導結合による新しい液中プラズマ生成法の開発と粒子処理プロセスの開拓
利用高频感应耦合开发新的浸没等离子体生成方法以及粒子处理工艺的开发
- 批准号：
19654090 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
気相成長ナノ粒子直接照射による酸化物ナノコンポジット機能材の低温高速成膜法の開発
开发气相生长纳米颗粒直接照射低温高速沉积氧化物纳米复合功能材料的方法
- 批准号：
16656226 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
コヒーレントフォノン励起による極浅半導体接合の低温活性化に関する基礎研究
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- 批准号：
14655018 - 财政年份：2002
- 资助金额：
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低インダクタンス型マルチ線状内部アンテナを用いた大容積RFプラズマ源の開発
使用低电感多线性内置天线开发大容量射频等离子体源
- 批准号：
12780356 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ヘリコン波励起型反応性高密度金属原子混合プラズマの開発と超硬質薄膜合成への応用
螺旋波激发反应高密度金属原子混合等离子体的研制及其在超硬薄膜合成中的应用
- 批准号：
09780435 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
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基于FRET受体上升时间的单分子高精度测量方法研究
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屏障突破型原位线粒体基因递送系统用于治疗Leber遗传性视神经病变的研究
- 批准号：82304416
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- 批准号：82373255
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- 项目类别：面上项目
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用于实时测量循环生物标志物的植入式生物传感器微系统
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质子、α 和 γ 辐照辅助应力腐蚀开裂：了解燃料-不锈钢界面
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