フォノン励起型非熱的ナノ表面改質による次世代半導体活性化プロセスの開発

利用声子激发非热纳米表面改性开发下一代半导体活化工艺

基本信息

批准号：
19026009
负责人：
節原裕一
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、従来の熱的なプロセスが抱える技術課題に対しプレークスルーをもたらす技術の開発を目的とし、これまでの研究成果を発展させて、ポストスケーリング技術(SiGeチャネル技術ならびにメタルゲート電極)に整合した極浅接合創成のための制御技術の確立を目指して、以下の研究を行った。まず、照射したレーザー光のパルス幅に対するシート抵抗の差異(照射したレーザー光のフルーエンスを固定、試料温度:室温)について調べた。その結果、ドーパント領域にGeイオンを注入した後に、Bイオンをエネルギー0.5keV、ドーズ量2.OE15cm-2で注入することにより作製されたテストデバイス(レーザー光を照射する前のシート抵抗は3E7Ω/Sq.)は超短パルスレーザー照射により、室温でも500Ω/sq.程度の低抵抗まで活性化させることが可能であることが明らかとなった。さらに、照射したレーザ0光のフルーエンスを固定して行った本実験では、パルス幅が短いほど、より活性化の度合いが高いことを示しており、本研究でのドーパント活性化過程が投入されるエネルギーだけでなく、パルス幅すなわち励起される周波数領域(パルス幅の逆数)に依存したプロセスであることを示唆している。さらに、レーザー照射雰囲気に対する試料表面の酸化の影響について、硬X線光電子スペクトル計測により調べたところ、試料表面は大気中でのレーザー光照射により著しく酸化されてしまうが、アルゴンガスを流した程度の雰囲気においても、酸化が抑制されることが明らかとなった。

这项研究旨在开发能够应对传统热过程所面临的技术挑战的技术，并进行了以下研究，旨在开发先前的研究结果并建立控制技术，以创建与较高的较浅的连接，这些连接与后标准通道技术一致（Sige Channel技术和金属栅极电极）。首先，研究了相对于辐照激光的脉冲宽度（辐照激光光的固定通量；样品温度：室温）的板电阻差。结果，据揭示了通过将GE离子植入掺杂剂区域而产生的测试装置（用激光照射前的薄板电阻为3e7Ω/sq。），然后以0.5 keV的能量植入B离子，剂量为2.oe 2.oe的2.oe 2.oe为15 cm-2（3e7Ω/sq）。即使在室温下通过超短脉冲激光照射。此外，在此实验中，固定了辐照激光0光的通力，这表明脉冲宽度越短，激活程度越高，这表明本研究中的掺杂剂激活过程不仅取决于所应用的能量，而且还取决于脉搏宽度，即频率范围，即脉冲范围（脉冲范围）（脉冲范围）。此外，当通过硬X射线光电子光谱法检查样品表面对激光照射大气的氧化作用时，发现样品表面在大气中的激光光照射会显着氧化，但即使在仅允许与Argon气体流动的气氛中，氧化也受到抑制。