Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions

使用栅极感应相变的低压晶体管的器件物理

基本信息

  • 批准号:
    17H04812
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.81万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
VO2 Mott 晶体管的特殊工作模式可实现超陡切换
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima T.;Tanaka T.;Samata Y.;Uchida K.;Toriumi A.;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
Impact of Scaling the VO2-Channel Mott Transistor below Material Correlation Length
将 VO2 通道莫特晶体管缩放至低于材料相关长度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima T.;Tanaka T.;Samata Y.;Uchida K.;Toriumi A.;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima
  • 通讯作者:
    Takeaki Yajima
相転移現象によって開かれる新しい電子デバイスと回路の可能性
相变现象为新电子设备和电路带来了可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima T.;Tanaka T.;Samata Y.;Uchida K.;Toriumi A.;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;矢嶋 赳彬;矢嶋 赳彬;矢嶋 赳彬;矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
VO2 Mott Transistors for Low-Voltage ON/OFF Switching.
用于低压开/关切换的 VO2 Mott 晶体管。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima T.;Tanaka T.;Samata Y.;Uchida K.;Toriumi A.;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima
  • 通讯作者:
    Takeaki Yajima
VO2モットトランジスタにおける微細化の影響
小型化对 VO2 Mott 晶体管的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima T.;Tanaka T.;Samata Y.;Uchida K.;Toriumi A.;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;Takeaki Yajima;矢嶋 赳彬;矢嶋 赳彬
  • 通讯作者:
    矢嶋 赳彬
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Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken
  • 通讯作者:
    Uchida Ken
Nanoscale characterization techniques for ultra-thin van der Waals semiconductors based on scanning nonlinear dielectric microscopy
基于扫描非线性介电显微镜的超薄范德华半导体纳米表征技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira;Kohei Yamasue and Yasuo Cho
  • 通讯作者:
    Kohei Yamasue and Yasuo Cho
テラヘルツ波産業創成の課題と展望(走査型テラヘルツ点光源による非染色早期がん検査システムとマイクロ流路チップ)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken;斗内政吉監修(芹田和則,第6章,第4節 担当)
  • 通讯作者:
    斗内政吉監修(芹田和則,第6章,第4節 担当)
高速液体クロマトグラフィーを用いた金ナノクラスターの反応追跡と異種金属元素導入の影響解明
使用高效液相色谱追踪金纳米团簇的反应并阐明引入不同金属元素的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira;宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
  • 通讯作者:
    宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
  • DOI:
    10.1002/aelm.202100842
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Yajima Takeaki;Toriumi Akira
  • 通讯作者:
    Toriumi Akira

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    2017
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    $ 15.81万
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    2023
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    $ 15.81万
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    2023
  • 资助金额:
    $ 15.81万
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有序-无序相诱导镍层状氧化物的新型金属-绝缘体转变及超导性能的发展
  • 批准号:
    22KJ0267
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 15.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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