Analog devices based on proton control in oxides for future AI hardware
用于未来人工智能硬件的基于氧化物质子控制的模拟设备
基本信息
- 批准号：17K18869
- 负责人：
- 金额：$ 4.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-06-30 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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专利数量（0）
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique
宽禁带氧化物半导体的氢化作为室温和 3D 兼容的电子掺杂技术
- DOI：10.1063/1.5055302
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：Yajima T.;Oike G.;Yamaguchi S.;Miyoshi S.;Nishimura T.;Toriumi A.
- 通讯作者：Toriumi A.
Hydrogenation of The Buried Interface as A Stable Nano-Doping Technique to Oxide Semiconductors
埋入界面氢化作为氧化物半导体的稳定纳米掺杂技术
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takahiro Kitagawa;Mihary Fiderana Ramananarivo;Akihiko Fujii;and Masanori Ozaki;Takeaki Yajima
- 通讯作者：Takeaki Yajima
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Yajima Takeaki其他文献
Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets
表面载流子散射对 Pt 纳米片载流子输运影响的原子模拟研究
- DOI：
10.1109/led.2021.3077466 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4.9
- 作者：
Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken - 通讯作者：
Uchida Ken
Nanoscale characterization techniques for ultra-thin van der Waals semiconductors based on scanning nonlinear dielectric microscopy
基于扫描非线性介电显微镜的超薄范德华半导体纳米表征技术
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yajima Takeaki;Toriumi Akira;Kohei Yamasue and Yasuo Cho - 通讯作者：
Kohei Yamasue and Yasuo Cho
テラヘルツ波産業創成の課題と展望（走査型テラヘルツ点光源による非染色早期がん検査システムとマイクロ流路チップ）
打造太赫兹波产业的挑战与前景（使用扫描太赫兹点光源的非染色早期癌症检测系统和微流控芯片）
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tanaka Takahisa;Kato Taro;Yajima Takeaki;Uchida Ken;斗内政吉監修（芹田和則，第6章，第4節 担当） - 通讯作者：
斗内政吉監修（芹田和則，第6章，第4節 担当）
高速液体クロマトグラフィーを用いた金ナノクラスターの反応追跡と異種金属元素導入の影響解明
使用高效液相色谱追踪金纳米团簇的反应并阐明引入不同金属元素的影响
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira;宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一 - 通讯作者：
宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition
静电门控金属-绝缘体转变过程中夹断效应的观察
- DOI：
10.1002/aelm.202100842 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：6.2
- 作者：
Yajima Takeaki;Toriumi Akira - 通讯作者：
Toriumi Akira
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{{ truncateString('Yajima Takeaki', 18)}}的其他基金
Study on the rate limiting process of the gate-induced phase transition and the speed limit of the phase transition transistor
栅致相变限速过程及相变晶体管速度极限研究
- 批准号：
20H02615 - 财政年份：2020
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$ 4.08万 - 项目类别：
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Study on 0.1V electronics using proton in solids
利用固体中质子的0.1V电子学研究
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$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions
使用栅极感应相变的低压晶体管的器件物理
- 批准号：
17H04812 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Operation mechanism of VO2-channel Mott transistors and their low-voltage operation
VO2沟道莫特晶体管的工作机制及其低电压工作
- 批准号：
15K17466 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
白金フリー・炭素フリー酸化チタン触媒の形態・組成精密制御による高性能化
通过精确控制无铂和无碳钛氧化物催化剂的形态和成分来提高性能
- 批准号：
23K26042 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
チタン合金/酸化物界面設計に基づく添加元素の合金化とナノ粒子選択担持
基于钛合金/氧化物界面设计的添加元素合金化和纳米粒子选择性负载
- 批准号：
23K23099 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
リン酸化シグナル網羅的解析のためのペプチド固定化酸化チタン基板の開発
开发用于磷酸化信号综合分析的肽固定二氧化钛底物
- 批准号：
24K08215 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新しい準安定酸化チタンによる多彩な相転移発現と光・電子物性の解明
阐明新型亚稳态氧化钛的各种相变和光学/电子特性
- 批准号：
23K23215 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
分子動力学シミュレーションによる金属/酸化チタン/結晶シリコン界面構造の解明
通过分子动力学模拟阐明金属/氧化钛/晶体硅界面结构
- 批准号：
24KJ1264 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows