Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation
飞秒激光辐照诱导宽带隙半导体与金属界面的非热退火
基本信息
- 批准号：17H03147
- 负责人：
- 金额：$ 11.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface
飞秒激光诱导的 4H-SiC 表面改性及其在 Ni/SiC 界面低温扩散中的应用
- DOI：10.7567/jjap.57.116501
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Okada Tatsuya;Tomita Takuro;Ueki Tomoyuki;Hashimoto Takuya;Fuchikami Yuki;Katayama Hiroyuki;Hisazawa Hiromu;Tanaka Yasuhiro
- 通讯作者：Tanaka Yasuhiro
Formation of Ni ohmic electrode on SiC by femtosecond laser irradiation associated with thermal annealing
通过飞秒激光照射和热退火在 SiC 上形成 Ni 欧姆电极
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroki Kawakami;Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
- 通讯作者：Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
表面局在した格子振動に由来するSiCのラマンスペクトル
来自表面局域晶格振动的 SiC 拉曼光谱
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富田 卓朗;竹中 一将;板東 洋太;滝谷 悠介;山口 誠;田中 康弘;中島 信一;岡田 達也
- 通讯作者：岡田 達也
走査型電子顕微鏡を用いたフェムト秒レーザー加工過程のパルス分解観察
使用扫描电子显微镜对飞秒激光加工进行脉冲分辨观察
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渕上 裕暉;薮内 麻由;宮本 美佑;二村 大;山口 誠;岡田 達也;富田 卓朗
- 通讯作者：富田 卓朗
フェムト秒レーザ照射誘起改質を導入したSiC単結晶上Ni電極の特性評価
飞秒激光辐照诱导改性SiC单晶Ni电极特性评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：水尾 優作;渕上 裕暉;富田 卓朗;久澤 大夢;岡田 達也
- 通讯作者：岡田 達也
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Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors
宽带隙半导体飞秒激光诱导改性技术研究进展
- 批准号：
19760035 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
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$ 11.15万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
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