Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors

宽带隙半导体飞秒激光诱导改性技术研究进展

• 批准号: 19760035
• 负责人: TOMITA Takuro
• 金额: $ 2.32万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760035/
• 关键词: フェムト秒レーザー; ワイドバンドギャップ半導体; シリコンカーバイド; 改質技術; 電気伝導度; 接触抵抗; 電極; レーザー照射

フェムト秒レーザー照射によるワイドバンドギャップ半導体材料の物性改質を行うことを目標として研究を行ってきた。シリコンカーバイドの半絶縁性基板にイオン注入を行い、その上に電極作製を行い、良好な電極を得ることが出来た。この電極を作製した半絶縁性基板に顕微光学系を用いてフェムト秒レーザー照射を行い、電気伝導率の変化を評価したところ、電気伝導率の有意な向上を見出した。さらに、赤外反射分光法を用いたフェムト秒レーザー改質部の評価から、シリコンカーバイドの赤外反射特性の制御が可能であることを明らかにした。

进行研究的目的是通过飞秒激光辐照来修改宽带隙半导体材料的物理特性。在由碳化硅制成的半绝缘底物上进行离子植入，并在其上制造了电极，从而产生了良好的电极。使用显微镜光学系统对使用该电极的半胰岛底物进行了飞秒激光照射，以评估电导率的变化，并发现电导率有显着提高。此外，据透露，碳化硅的红外反射特性可以通过使用红外反射光谱对飞秒激光重整部分的评估来控制。

项目成果

フェムト秒レーザー加工による固体内光圧回転体の作製

飞秒激光加工固态光压旋转体的制作

• 发表时间: 2007
• 作者: 木山 聡;他
• 通讯作者: 他

Laser microfabrication and rotation of ship-in-a-bottle optical rotators

• DOI: 10.1063/1.2967872
• 发表时间: 2008-08
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: S. Matsuo;S. Kiyama;Y. Shichijo;T. Tomita;S. Hashimoto;Y. Hosokawa;H. Masuhara

Amorphous structure of ripple on SiC studied by micro Raman spectroscopy

显微拉曼光谱研究SiC波纹非晶结构

• 发表时间: 2007
• 期刊: The proceedings of the 8-th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
• 作者: M. Yamaguchi;et. al.
• 通讯作者: et. al.

Three-Dimensional Residue-Free Volume Removal inside Sapphire by High-Temperature Etching after Irradiation of Femtosecond Laser Pulses

飞秒激光脉冲照射后高温蚀刻去除蓝宝石内部三维无残留体积

• 发表时间: 2008
• 期刊: Laser Chemistry Vol.2008, No.5
• 作者: S. Matsuo;K. Tokumi;T. Tomita;and S. Hashimoto
• 通讯作者: and S. Hashimoto

Si, SiC及びHOPGにおけるリップル断面形状の直接観察

直接观察 Si、SiC 和 HOPG 的波纹截面形状

• 发表时间: 2007
• 作者: 熊井 亮太;他
• 通讯作者: 他