Development of Time-Varying Chip-ID Based on Transistor Models Considering Transient Degradation

考虑瞬态退化的基于晶体管模型的时变芯片ID的开发

基本信息

批准号：
17H01713
负责人：
Sato Takashi
金额：
$ 11.9万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

南洋理工大学(シンガポール)

南洋理工大学（新加坡）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shogo Matsumoto;Hidenori Gyoten;Masayuki Hiromoto and Takashi Sato
通讯作者：
Masayuki Hiromoto and Takashi Sato

情報回路方式(佐藤高史)研究室ウェブページ

信息电路方法（Takashi Sato）实验室网页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Experimental Study of Bias Stress Degradation of Organic Thin Film Transistors

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DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
and Takashi Sato

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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
and Takashi Sato

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作者：
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0
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