In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping

湿化学激光掺杂过程中 SiC 表面的原位温度测量和杂质分布控制

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Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Kikuchi;K. Imokawa;A. Ikeda;D. Nakamura;T. Asano;H. Ikenoue
  • 通讯作者：
    H. Ikenoue
Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
使用扩展脉冲准分子激光器增加 4H-SiC 中 Al 的激光掺杂深度
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Materials Science Forum
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Akihiro Ikeda;Takashi Shimokawa;Hiroshi Ikenoue;Tanemasa Asano
  • 通讯作者：
    Tanemasa Asano
Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating
通过衬底加热改善 4H-SiC 激光 Al 掺杂的掺杂性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    堀匡寛,小野行徳;A. Ikeda
  • 通讯作者：
    A. Ikeda
Increased doping depth of Al in wet-chemical laser doping of 4H-SiC by expanding laser pulse
  • DOI：
    10.1016/j.mssp.2016.11.036
  • 发表时间：
    2017-11
  • 期刊：
    Materials Science in Semiconductor Processing
  • 影响因子：
    4.1
  • 作者：
    A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者：
    A. Ikeda;Daichi Marui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab12c3
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Appied Physics
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Okamoto;T. Kikuchi;A. Ikeda;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者：
    T. Asano
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fujimoto Akiko;Yoshikawa Akimasa;Ikeda Akihiro
  • 通讯作者：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yoshikawa Akimasa;Fujimoto Akiko;Ikeda Akihiro;Uozumi Teiji;Abe Shuji
  • 通讯作者：
    Abe Shuji
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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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