Investigation on mechanism of wet chemical laser doping of 4H-SiC by optical emission spectroscopy

发射光谱研究4H-SiC湿化学激光掺杂机理

基本信息

  • 批准号:
    26420309
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング
常压氮等离子体激光照射4H-SiC氮掺杂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Ikeda;D. Mrui;H. Ikenoue;T. Asano;丸井大地,池田晃裕,池上浩,浅野種正;小島遼太,池上浩,渡邊陽介,池田晃裕,中村大輔,浅野種正,岡田龍雄
  • 通讯作者:
    小島遼太,池上浩,渡邊陽介,池田晃裕,中村大輔,浅野種正,岡田龍雄
レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法
激光掺杂设备及激光掺杂方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution
  • DOI:
    10.7567/jjap.53.06jf03
  • 发表时间:
    2014-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者:
    Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano
Effects of Substrate Heating on Al Doping Performed by Irradiating Laser Beam to Al Film on 4H-SiC
基片加热对4H-SiC上Al薄膜激光照射Al掺杂的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Ikeda;R. Tsutsui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者:
    T. Asano
Thickness dependence of doping characteristic in Al doping into 4H-SiC by laser irradiation to deposited Al film
激光照射沉积Al膜将Al掺杂到4H-SiC中的掺杂特性的厚度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Sumina;A. Ikeda;H. Ikenoue;T. Asano
  • 通讯作者:
    T. Asano
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fujimoto Akiko;Yoshikawa Akimasa;Ikeda Akihiro
  • 通讯作者:
    Ikeda Akihiro
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  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshikawa Akimasa;Fujimoto Akiko;Ikeda Akihiro;Uozumi Teiji;Abe Shuji
  • 通讯作者:
    Abe Shuji
日本における希少がん患者のアンメットニーズ
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    大西 啓之

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    25800277
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  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

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