Investigation on mechanism of wet chemical laser doping of 4H-SiC by optical emission spectroscopy
发射光谱研究4H-SiC湿化学激光掺杂机理
基本信息
- 批准号:26420309
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング
常压氮等离子体激光照射4H-SiC氮掺杂
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Ikeda;D. Mrui;H. Ikenoue;T. Asano;丸井大地,池田晃裕,池上浩,浅野種正;小島遼太,池上浩,渡邊陽介,池田晃裕,中村大輔,浅野種正,岡田龍雄
- 通讯作者:小島遼太,池上浩,渡邊陽介,池田晃裕,中村大輔,浅野種正,岡田龍雄
Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution
- DOI:10.7567/jjap.53.06jf03
- 发表时间:2014-05
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano
- 通讯作者:Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano
Effects of Substrate Heating on Al Doping Performed by Irradiating Laser Beam to Al Film on 4H-SiC
基片加热对4H-SiC上Al薄膜激光照射Al掺杂的影响
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Ikeda;R. Tsutsui;R. Sumina;H. Ikenoue;T. Asano
- 通讯作者:T. Asano
Thickness dependence of doping characteristic in Al doping into 4H-SiC by laser irradiation to deposited Al film
激光照射沉积Al膜将Al掺杂到4H-SiC中的掺杂特性的厚度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Sumina;A. Ikeda;H. Ikenoue;T. Asano
- 通讯作者:T. Asano
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Abe Shuji
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- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
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大西 啓之
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