Large area bonding for power device by effective dispersion of pillar-shaped IMC
通过柱状IMC的有效分散实现功率器件大面积键合
基本信息
- 批准号：17K06371
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Evaluation of Microstructures and Mechanical Properties of Sn-10Sb-Ni Lead-Free Solder Alloys with Small Amount of Ni Using Miniature Size Specimens
- DOI：10.3390/met9121348
- 发表时间：2019-12-01
- 期刊：
- 影响因子：2.9
- 作者：Kobayashi, Tatsuya;Shohji, Ikuo
- 通讯作者：Shohji, Ikuo
Effect of Cooling Rate on Intermetallic Compounds Formation in Sn-Ag-Cu-In Solder
冷却速率对 Sn-Ag-Cu-In 焊料中金属间化合物形成的影响
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.941.2075
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Miki Kenji;Kobayashi Tatsuya;Shohji Ikuo;Nakata Yusuke
- 通讯作者：Nakata Yusuke
Sn-Sb-Ag系高温鉛フリーはんだのミクロ組織および疲労特性に及ぼす添加元素の影響
添加元素对Sn-Sb-Ag高温无铅焊料显微组织和疲劳性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本瑞貴;荘司郁夫;小林竜也;三ツ井恒平;渡邉裕彦
- 通讯作者：渡邉裕彦
パワー半導体用鉛フリーはんだ接合部のパワーサイクル損傷挙動
功率半导体无铅焊点的功率循环损伤行为
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山中佑太;荘司郁夫;小林竜也;小幡佳弘;倉澤元樹
- 通讯作者：倉澤元樹
Sn-Sb-Ag 系高温鉛フリーはんだの疲労特性に及ぼすNi 添加の影響
Ni添加量对Sn-Sb-Ag高温无铅焊料疲劳性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本瑞貴;荘司郁夫;小林竜也;三ツ井恒平;渡邉裕彦
- 通讯作者：渡邉裕彦
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Shohji Ikuo其他文献
Formation of Cu–Ni Alloy Plating Film for Improving Adhesion between Metal and Resin
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Shohji Ikuo
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- 作者：
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Shohji Ikuo
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- DOI：
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- 作者：
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Muraoka Takako
ドナー部位を有する含カルバゾールアザボリン誘導体の合成と物性
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- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Koyama Shinji;Shohji Ikuo;Muraoka Takako;山本浩司，前田真輝，中村洋介 - 通讯作者：
山本浩司，前田真輝，中村洋介
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为 SiC 功率器件生产高功能树脂/金属异质界面
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$ 3万 - 项目类别：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
16K06812 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Evaluation of the Creep Deformationby the Stepped Load Indentation Test with Constant Depth for Solder Joints
焊点等深度阶梯载荷压痕试验评价蠕变变形
- 批准号：
15H06005 - 财政年份：2015
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$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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- 批准号：
15K18226 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)