Development of a new module type switch using next generation semiconductors

使用下一代半导体开发新型模块型开关

基本信息

  • 批准号：
    17K06334
  • 负责人：
    Tomohiro TAKAYANAGI
  • 金额：
    $ 3.08万
  • 依托单位：
    Japan Atomic Energy Agency
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Development of a new modular switch using a next-generation semiconductor
使用下一代半导体开发新型模块化交换机
パワー半導体を用いたキッカー用パルス電源とイグナイトロン代替スイッチの開発
使用功率半导体开发起跳脉冲电源和点火管替代开关
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hideki Ayano;Akira Fujimura;Yoshihiro Matsui;Tomohiro TAKAYANAGI;高柳　智弘;高柳 智弘，小野 礼人，植野 智晶，堀野 光喜，山本 風海，金正 倫計
  • 通讯作者：
    高柳 智弘，小野 礼人，植野 智晶，堀野 光喜，山本 風海，金正 倫計
SiC-MOSFET を用いた半導体スイッチ電源の開発
使用SiC-MOSFET的半导体开关电源的开发
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Tomohiro TAKAYANAGI其他文献

Photo- thermal Spectroscopy on Multicrystalline Silicon Solar Cell Materials by Dual Sam- pling Method in Atomic Force Microscopy
原子力显微镜双采样法对多晶硅太阳能电池材料进行光热光谱分析
燃料電池ハイブリッド自動車の走行モードを模擬した条件におけるチョッパ回路の実験的考察
模拟燃料电池混合动力汽车驱动模式条件下斩波电路的实验考虑
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomohiro TAKAYANAGI;Nobukazu HOSHI;Junnosuke HARUNA;Meifen CAO;T.Kato;K. Hara and T. Takahashi;高柳朝裕,星伸一,春名順之介
  • 通讯作者：
    高柳朝裕,星伸一,春名順之介
Experimental Consideration on DC-DC Converter Circuits for Fuel Cell Hybrid Electric Vehicle
燃料电池混合动力汽车DC-DC变换器电路的实验考虑

Tomohiro TAKAYANAGI的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

相似国自然基金

碳化硅陶瓷的粘结剂喷射增材制造协同致密化策略与机理研究
  • 批准号：
    52305425
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
连续SiC纤维增韧陶瓷复材多尺度损伤建模与失效机制
  • 批准号：
    12372142
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    52 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于碳/碳表面(HfxTa1-x)B2-SiC抗氧化梯度涂层仿生成膜及机理研究
  • 批准号：
    52302047
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
大口径铝基碳化硅反射镜的激光-椭圆超声振动多物理场超精密复合切削工艺研究
  • 批准号：
    52305489
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
SiC基石墨烯超表面紫外-太赫兹双波段探测器研究
  • 批准号：
    62304187
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目

相似海外基金

SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学，以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
  • 批准号：
    23K22796
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
  • 批准号：
    24KJ1553
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発
开发兼具耐热性和低加工温度的SiC陶瓷TLP接合技术
  • 批准号：
    24K08069
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
  • 批准号：
    24H00308
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
  • 批准号：
    24K01348
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了