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熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
基本信息
- 批准号：24K01348
- 负责人：
- 金额：$ 11.81万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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細井 卓治其他文献
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- 影响因子：0
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- 影响因子：0
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- 发表时间：
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- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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渡部 平司
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NO 退火 SiC MOS 器件的平带电压稳定性
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
勝 義仁;細井 卓治;南園 悠一郎;木本 恒暢;志村 考功;渡部 平司 - 通讯作者：
渡部 平司
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