界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現

基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现

基本信息

批准号：
24KJ1553
负责人：
藤本博貴
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
起止时间：
2024-04-23 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24KJ1553/
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通讯作者：
渡部平司

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