Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle

通过氢循环开发半导体衬底的无化学和精密制造工艺

基本信息

  • 批准号：
    16H04245
  • 负责人：
    Ohmi Hiromasa
  • 金额：
    $ 10.48万
  • 依托单位：
    Osaka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果
使用氢等离子体的铜干法蚀刻中添加气体效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    大参宏昌，佐藤純平，久保田雄介，平野達也，垣内弘章，安武潔
  • 通讯作者：
    大参宏昌，佐藤純平，久保田雄介，平野達也，垣内弘章，安武潔
狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長
使用现场 SiH4 生成设备和窄间隙高密度氢等离子体进行硅外延生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Gai Kubo;Tetsuya Matsuda;Yoshihiko Sato;武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  • 通讯作者：
    武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma
  • DOI：
    10.1063/1.4967382
  • 发表时间：
    2016-11
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    H. Ohmi;J. Sato;T. Hirano;Y. Kubota;H. Kakiuchi;K. Yasutake
  • 通讯作者：
    H. Ohmi;J. Sato;T. Hirano;Y. Kubota;H. Kakiuchi;K. Yasutake
マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用
微波氢等离子体现场硅烷发生器的研制及其应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tien-Dat Hoang;Yutaro Abe;Shinya Nakamura;Akio Miyoshi;Naoki Takano;武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  • 通讯作者：
    武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発
硅片减薄工艺高密度氢等离子体刻蚀技术的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shinya Sakata;Takashi Kadota;Yuki Yamada;Kenichi Nakanishi;Hayato Yoshioka;Norikazu Suzuki; Yasuhiro Kakinuma;Tien-Dat Hoang and Naoki Takano;木元健太，武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  • 通讯作者：
    木元健太，武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
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