Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma

非平衡高压氢等离子体硅尺寸变换软工艺开发

基本信息

批准号：
15K13848
负责人：
Ohmi Hiromasa
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

スリット型狭ギャッププラズマ源を用いたオンサイトSiH4生成

使用狭缝型窄间隙等离子体源现场生成 SiH4

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiromasa Ohmi;F. Shinoda;N. Takei;H. Kakiuchi;K. Yasutake;武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
通讯作者：
武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌

Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma

窄间隙微波氢等离子体高速硅蚀刻中硅烷气体的产生效率

DOI：
10.1088/0022-3727/49/3/035202
发表时间：
2016
期刊：
J. Physics D: Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Hiromasa Ohmi;Takeshi Funaki;Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
通讯作者：
Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake

狭ギャップ高密度水素プラズマを用いたオンサイトSiH4生成装置の開発

窄间隙高密度氢等离子体现场SiH4生成设备的开发

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Ohmi;H. Kakiuchi;and K. Yasutake;篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
通讯作者：
篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌

On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap

使用窄缝型放电间隙中产生的高密度微波 H2 等离子体现场生成 SiH4

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiromasa Ohmi;F. Shinoda;N. Takei;H. Kakiuchi;K. Yasutake
通讯作者：
K. Yasutake

High-rate metal evaporation induced by high-pressure hydrogen glow discharge plasma and its application to formation of metallic fine particle and porous film

高压氢辉光放电等离子体诱导的高速金属蒸发及其在金属微粒和多孔薄膜形成中的应用

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Ohmi;H. Kakiuchi;and K. Yasutake
通讯作者：
and K. Yasutake

DOI：
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作者：
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22378247
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资助金额：
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项目类别：
面上项目

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